一种双全桥反馈型电压补偿系统技术方案

技术编号:26481878 阅读:50 留言:0更新日期:2020-11-25 19:28
本发明专利技术针对由于器件损耗引起的磁通门激励电压衰减情况,提出了一种双全桥反馈型电压补偿系统,包括实时反馈计算和双全桥电路两部分,其中反馈实时计算根据采集的激励线圈电压作为反馈值,主控芯片计算与激励线圈电压与系统设定电压差值作为误差,通过PI算法计算下一周期每个场效应管导通时间;双全桥电路接收反馈计算的场效应管导通时间控制量,场效应管在不同阶段导通与关断控制激励线圈两端电压,将激励电压补偿至系统设定电压。本发明专利技术具有响应快、补偿准、可靠性高、无累积误差的特点,能够将磁通门激励电压快速补偿至系统设定电压,极大提高了磁通门的测量分辨率。

【技术实现步骤摘要】
一种双全桥反馈型电压补偿系统
本专利技术涉及磁通门矢量磁场测量地质勘探领域,尤其涉及一种响应快、可靠性高的磁通门激励线圈电压的双全桥反馈型电压补偿系统。技术背景地球系统由地核、地壳、电离层、磁层等不同圈层组成,各个组成部分发生的许多过程都会产生磁场,它们携带着地球系统不同部分有关过程的信息,这些信息是认识地球系统和矿产资源的基础资料。由空间电流体系引起的感应磁场在实际测量异常场中占到了三分之一,如何分离感应磁场和地壳异常场一直是难以解决的问题。空间立体磁测会增强磁法勘探的能力,解决磁场向下延拓的深度和准确性。磁通门传感器能够协助地质勘探设备,在最短的时间内获得磁场分布图,并通过地球物理理论获得岩石圈的精细结构和活动性等特征,为矿产资源探查提供了磁场信息。磁通门传感器是利用高磁导率、低矫顽力软磁材料的磁饱和特性制造的磁强计。基于磁调制原理,在交变磁场激励下,磁芯处于周期性过饱和状态,利用软磁材料磁芯对激励磁场的调制作用将外磁场转化为电压信号,最终经输出感应电压信号时域、频域解析确定外磁场大小。该方法可测量恒定或缓慢变化的磁场,适用于空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双全桥反馈型电压补偿系统,其特征在于包括:主控芯片、驱动电路、双全桥电路、激励线圈、激励电压采集五部分,其中,/n主控芯片用于接收激励电压采集模块采集的反馈信号,并通过PI算法计算得出控制策略,控制下一周期双全桥电路中场效应管导通时间;/n驱动电路用于提升主控芯片IO引脚驱动能力,使主控芯片IO引脚通过驱动电路后能够控制双全桥电路中场效应管导通与关断;/n双全桥电路包括8个场效应管Q1-Q8,双全桥电路中不同场效应管的导通与关断可分为T1-T8工作阶段,其中,Q1Q8导通为T1、Q3Q6导通为T2、Q3Q6关断为T3、Q1Q8关断为T4,且T1-T4期间为线圈正向补偿过程;Q2Q7导通...

【技术特征摘要】
1.一种双全桥反馈型电压补偿系统,其特征在于包括:主控芯片、驱动电路、双全桥电路、激励线圈、激励电压采集五部分,其中,
主控芯片用于接收激励电压采集模块采集的反馈信号,并通过PI算法计算得出控制策略,控制下一周期双全桥电路中场效应管导通时间;
驱动电路用于提升主控芯片IO引脚驱动能力,使主控芯片IO引脚通过驱动电路后能够控制双全桥电路中场效应管导通与关断;
双全桥电路包括8个场效应管Q1-Q8,双全桥电路中不同场效应管的导通与关断可分为T1-T8工作阶段,其中,Q1Q8导通为T1、Q3Q6导通为T2、Q3Q6关断为T3、Q1Q8关断为T4,且T1-T4期间为线圈正向补偿过程;Q2Q7导通为T5、Q4Q5导通为T6、Q4Q5关断为T7、Q2Q7关断为T8,且T5-T8期间为线圈反向补偿过程;当双全桥电路接收到主控芯片开关控制信号时,电路在8个电路中切换,其中T2为正向补偿阶段,T1-T4其他阶段为准备及自由震荡状态;T6为反向补偿阶段,T5-T8其他阶段为准备及自由震荡状态;
激励线圈用于产生与被测...

【专利技术属性】
技术研发人员:张一鸣张晨浩原大康张栋高俊侠
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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