一种采用矩阵变压器的大功率高升压比直流变换器制造技术

本发明专利技术涉及一种采用矩阵变压器的大功率高升压比直流变换器，属于电力电子技术领域。变换器由低压侧的4个全桥电路、两个变压器T1和T2、谐振网络和全桥整流滤波电路组成，其中变压器T1包含三个绕组：原边侧绕组#1、原边侧绕组#2和副边侧绕组#3；变压器T2包含三个绕组：原边侧绕组#4、原边侧绕组#5和副边侧绕组#6。两个变压器原边绕组之间并联，分别与四个全桥电路连接；副边侧绕组串联，与谐振网络连接。谐振网络由谐振电容Cr、谐振电感Lr和励磁电感Ls组成。本发明专利技术原边四个全桥电路可实现自动均流，变换器在全负载范围内可实现软开关，提高变换器效率。本发明专利技术主要应用于大功率高升压比直流电源变换场合。

【技术实现步骤摘要】
一种采用矩阵变压器的大功率高升压比直流变换器
本专利技术涉及开关电源领域，具体涉及一种采用矩阵变压器的大功率高升压比直流变换器。
技术介绍
常见的隔离式DC-DC变换器主要有：单端变压隔离电路、双端变压隔离电路、半桥变压隔离电路和全桥变压隔离电路。通过合理设计参数，LLC变换器能够在全负载范围内实现原边功率器件的ZVS。在工作频率不大于谐振频率的情况下还可以实现副边功率器件的ZCS。LLC变换器可以很大程度上降低开关损耗，提高变换器的效率。谐振腔在副边的LLC变换器适合用于升压领域，同样可以使用FHA等效分析，获得变换器的传递函数以及增益曲线。针对大功率高升压比应用，需要重点关注低压大电流，为了满足器件的电流应力，一般采用并联MOS管的方式。然而，随着并联开关器件数量的增加，由于器件参数的不一致性，很难保证并联MOS管都流过相同的电流；随着开关频率的提高，会进一步造成并联MOS管在开关动作时刻的不均流，并联MOS管之间形成较大的环流，加剧变换器的损耗。运用矩阵变压器可以在动态与静态实现MOS管自动均流。利用矩阵变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用矩阵变压器的大功率高升压比直流变换器，其特征在于包括矩阵变压器原边侧的四个全桥逆变电路、矩阵变压器T1和T2、变压器副边侧的谐振腔、谐振腔输出侧的全桥不可控整流滤波电路；其中四个全桥逆变电路为A桥、B桥、C桥和D桥，其中A桥包括MOS管Q1_1、MOS管Q1_2、MOS管Q1_3、MOS管Q1_4；B桥包括MOS管Q2_1、MOS管Q2_2、MOS管Q2_3、MOS管Q2_4；C桥包括MOS管Q3_1、MOS管Q3_2、MOS管Q3_3、MOS管Q3_4；D桥包括MOS管Q4_1、MOS管Q4_2、MOS管Q4_3、MOS管Q4_4；矩阵变压器T1包括绕组#1、绕组#2和绕组#3；...

【技术特征摘要】
1.一种采用矩阵变压器的大功率高升压比直流变换器，其特征在于包括矩阵变压器原边侧的四个全桥逆变电路、矩阵变压器T1和T2、变压器副边侧的谐振腔、谐振腔输出侧的全桥不可控整流滤波电路；其中四个全桥逆变电路为A桥、B桥、C桥和D桥，其中A桥包括MOS管Q1_1、MOS管Q1_2、MOS管Q1_3、MOS管Q1_4；B桥包括MOS管Q2_1、MOS管Q2_2、MOS管Q2_3、MOS管Q2_4；C桥包括MOS管Q3_1、MOS管Q3_2、MOS管Q3_3、MOS管Q3_4；D桥包括MOS管Q4_1、MOS管Q4_2、MOS管Q4_3、MOS管Q4_4；矩阵变压器T1包括绕组#1、绕组#2和绕组#3；矩阵变压器T2包括绕组#4、绕组#5和绕组#6，绕组#1、绕组#2、绕组#4、绕组#5为并联关系；绕组#3和绕组#6为串联关系；A桥逆变输出接变压器T1的绕组#1，B桥逆变输出接变压器T1的绕组#2，C桥逆变输出接变压器T2的绕组#3，D桥逆变输出接变压器T2...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旋律，贾荣友，吴盼盼，赵鑫，吴小华，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61