【技术实现步骤摘要】
阵列基板及液晶显示面板
本申请涉及显示
,具体涉及一种阵列基板以及液晶显示面板。
技术介绍
在液晶面板行业中,显示器亮度不均(Mura)是一种影响面板良率的不良现象,如周边Mura、水平Mura、斜纹Mura等。其中由聚亚胺薄膜的精度以及膜面造成的Mura占大多数。而聚亚胺薄膜不良的原因多种多样,一方面制程工艺的不同会引起聚亚胺薄膜膜面或者精度不良,其中制程工艺的温度、时间、吐出量、转印速度等均会引起聚亚胺薄膜膜面或者精度不良;另一方面面板设计也会造成聚亚胺薄膜膜面或精度不良。在现有的设计中,在聚亚胺薄膜通过转印方式设置封装层时,聚亚胺薄膜在平坦化流动的过程中会遇到通道层网络(pathlayernetwork,PLN)转接孔,由于表面张力的作用,加上转接孔靠近所述显示区的一端长度较长,聚亚胺薄膜会聚集于转接孔的边缘而被阻挡产生回流,从而会造成在显示区与非显示区的交界处形成一个膜厚较其他正常区域厚的区域,进而会造成液晶旋转出现异常,使点灯检查是出现Mura。因此,如何解决由于现有的PLN转接孔而造 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括显示区以及非显示区,且所述阵列基板包括基板、设置在所述基板上的缓冲层以及设置在所述缓冲层上的功能层,其中,所述功能层包括:/n源漏极层;所述源漏极层设置在所述缓冲层上;/n无机绝缘层;所述无机绝缘层设置在所述源漏极层上;/n公共电极层,所述公共电极层设置在所述无机绝缘层上,且所述公共电极层与所述源漏极层连接;/n钝化层,所述钝化层设置在所述公共电极层上;/n像素电极层,所述像素电极层设置在所述钝化层上;/n封装层,所述封装层设置在所述像素电极层上;其中,位于所述非显示区的所述像素电极层靠近所述显示区的一侧设置有多个转接孔,所述转 ...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括显示区以及非显示区,且所述阵列基板包括基板、设置在所述基板上的缓冲层以及设置在所述缓冲层上的功能层,其中,所述功能层包括:
源漏极层;所述源漏极层设置在所述缓冲层上;
无机绝缘层;所述无机绝缘层设置在所述源漏极层上;
公共电极层,所述公共电极层设置在所述无机绝缘层上,且所述公共电极层与所述源漏极层连接;
钝化层,所述钝化层设置在所述公共电极层上;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述钝化层上;
封装层,所述封装层设置在所述像素电极层上;其中,位于所述非显示区的所述像素电极层靠近所述显示区的一侧设置有多个转接孔,所述转接孔靠近所述显示区的一端的长度不大于12.5微米,以对所述封装层涂布起导流作用。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻的所述转接孔的间距不小于30微米,以利于所述封装层涂布。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述转接孔横截面的宽度不小于4微米。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述转接孔靠近所述显示区的一端为直线或者交点;其中,
当所述转接孔靠近所述显示区的一端为直线时,所述转接孔横截面的形状包括长条形;
当所述转接孔靠近所述显示区的一端为交点时,所述转接孔横截面的形状包括椭圆形、圆形以及菱形中的一种。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄建龙,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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