一种二维材料畴区尺寸的测量方法及测量仪器技术

本发明专利技术公开了一种二维材料畴区尺寸的测量方法及测量仪器，测量方法包括：S100、构建用于测量二次谐波角度分布的仪器；S200、将置于基底片上的二维材料放置在仪器上，获得不同角度的二次谐波信号；S300、根据不同角度的二次谐波信号计算分析得到二维材料的畴区尺寸。本发明专利技术能快速、无损地测量大面积的二维材料薄膜的畴区分布，对二维材料薄膜在器件中的大规模应用可以起到重要帮助。

【技术实现步骤摘要】
一种二维材料畴区尺寸的测量方法及测量仪器
本专利技术涉及光谱学领域，具体涉及一种二维材料畴区尺寸的测量方法及测量仪器。
技术介绍
二维材料由于具有优异的物理性质而广泛应用于电子器件及相关研究中。由多晶拼接成的连续单层二维材料薄膜是应用的常见形式。因为多晶的晶界严重影响电子性质，所以连续薄膜中多晶的晶畴大小决定了薄膜的应用类型。例如，需要高导电性的器件需要晶畴尺寸大的薄膜，而需要多活性位点的器件则需要晶畴尺寸小的薄膜。因此，表征薄膜中的晶畴尺寸大小对器件构造而言非常重要。由于薄膜中的多晶晶界比较平滑，常用的显微手段如光学显微镜、扫描电子显微镜等方法无法观察到。一般的光谱学成像如拉曼光谱和荧光光谱成像可以看见晶界，但是这些方法是通过扫描的方式成像，扫描一个较大区域需要很长的时间，不适用于大面积的薄膜的表征。除此以外还有一些辅助方式能使晶界在显微镜下可见，如加热或氧化薄膜等，但是这些方式会对薄膜造成损伤，影响器件的性能。为了将二维材料薄膜更好地应用，如何在无损伤的情况下快速得到大面积薄膜中的晶畴尺寸是一个很重要的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维材料畴区尺寸的测量方法，其特征在于，包括：/n(1)构建用于测量二次谐波角度分布的仪器；/n(2)将置于基底片上的二维材料放置在所述仪器上，获得不同角度的二次谐波信号；/n(3)根据所述不同角度的二次谐波信号计算分析得到所述二维材料的畴区尺寸。/n

【技术特征摘要】
1.一种二维材料畴区尺寸的测量方法，其特征在于，包括：
(1)构建用于测量二次谐波角度分布的仪器；
(2)将置于基底片上的二维材料放置在所述仪器上，获得不同角度的二次谐波信号；
(3)根据所述不同角度的二次谐波信号计算分析得到所述二维材料的畴区尺寸。


2.根据权利要求1所述的一种二维材料畴区尺寸的测量方法，其特征在于，步骤(3)包括：
(3.1)将所述不同角度的二次谐波信号处理为信号强度-角度关系图；
(3.2)拟合所述信号强度-角度关系图，得到对应的畴区尺寸。


3.根据权利要求2所述的一种二维材料畴区尺寸的测量方法，其特征在于，步骤(3.2)包括：
生成特定畴区尺寸、其他参数与实验条件相同的信号强度-角度关系图，所述其他参数包括所述激发光的偏振方向、激发光波长、透镜焦距和光纤孔径；
使用不同畴区尺寸计算出的信号强度-角度关系图拟合实验结果，找出匹配度最高的信号强度-角度关系图所对应的畴区尺寸作为所述二维材料的畴区尺寸。


4.根据权利要求1所述的一种二维材料畴区尺寸的测量方法，其特征在于，所述基底片为不产生二次谐波的基底片，包括：熔融石英、硅片和蓝宝石片；
所述二维材料为能产生二次谐波的二维材料，包括：二硫化钼、二硫化钨...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓璟雯，于志浩，郑俊荣，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11