一种高灵敏手性分子探测表面制造技术

本发明专利技术涉及手性分子探测领域，具体提供了一种高灵敏手性分子探测表面，包括基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，磁性材料层置于基底上，孔洞置于磁性材料层中，贵金属层置于磁性材料层的表面，贵金属底部置于孔洞的底部；应用时，在孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。本发明专利技术具有手性分子探测灵敏度高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高灵敏手性分子探测表面
本专利技术涉及手性分子探测领域，具体涉及一种高灵敏手性分子探测表面。
技术介绍
大多数药物分子是手性分子。手性分子探测在医药领域非常重要。传统手性分子的手性探测信号弱、灵敏度低。探索基于新原理的手性分子的手性探测方法及装置，不仅能够提高手性探测的信号强度和灵敏度，而且将有力地推动手性光子学的发展。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种高灵敏手性分子探测表面，包括基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，磁性材料层置于基底上，孔洞置于磁性材料层中，贵金属层置于磁性材料层的表面，贵金属底部置于孔洞的底部；应用时，在孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。更进一步地，还包括贵金属侧部，贵金属侧部固定在孔洞的侧面上。更进一步地，贵金属侧部不与贵金属底部接触。更进一步地，孔洞不贯穿磁性材料层。更进一步地，孔洞为圆形或方形。更进一步地，孔洞的直径大于200纳米、小于1微米。更进一步地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高灵敏手性分子探测表面，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞置于所述磁性材料层中，所述贵金属层置于所述磁性材料层的表面，所述贵金属底部置于所述孔洞的底部；应用时，在所述孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射所述磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。/n

【技术特征摘要】
1.一种高灵敏手性分子探测表面，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞置于所述磁性材料层中，所述贵金属层置于所述磁性材料层的表面，所述贵金属底部置于所述孔洞的底部；应用时，在所述孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射所述磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。


2.如权利要求1所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：还包括贵金属侧部，所述贵金属侧部固定在所述孔洞的侧面上。


3.如权利要求2所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述贵金属侧部不与所述贵金属底部接触。


4.如权利要求1-3任一项所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述孔洞不贯穿所述磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44