一种F、Sb双元素共掺SnO制造技术

本发明专利技术公开了一种F、Sb共掺SnO

【技术实现步骤摘要】
一种F、Sb双元素共掺SnO2薄膜的制备方法
本专利技术薄膜材料制备
，特别涉及一种F、Sb双元素共掺SnO2薄膜的制备方法。
技术介绍
透明导电氧化物薄膜的研究如今已是材料研究领域的热门课题之一。它是一种在可见光范围内具有较高的透光性，与此同时兼有优良导电性能的一种薄膜。目前，商业化应用最为广泛的氧化铟锡(In2O3：Sn，ITO)材料由于铟资源的稀缺且价格昂贵，迫使研究者们寻找和开发性能优异的新型廉价TCO材料。SnO2透明导电薄膜是一种宽禁带n型半导体固体薄膜，一般为多晶型，呈四方金红石结构，禁带宽度为3.6～4.2eV，不仅生产成本较低，而且兼备优异的电学及光学性能。该薄膜可以很好的附着在玻璃和陶瓷的表面，可以通过与衬底的化学键结合。基于SnO2的透明导电氧化物薄膜材料在实验和理论研究中都受到了人们广泛的关注，如氧化锡锑和氧化锡氟已经被制造并实现工业化生产，但是其导电性能与氧化铟锡相比仍存在一定差距。所以，仍然需要不断探索新的基于SnO2的透明导电膜材料，以满足人们的生活和生产需求。专利
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种F、Sb双元素共掺SnO

【技术特征摘要】
1.一种F、Sb双元素共掺SnO2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)溶胶制备：先配制体积为20～30ml的五水四氯化锡和无水乙醇混合后进行搅拌25～45min；配制体积为20～30ml的三氯化锑、氢氟酸和乙酰丙酮混合后进行搅拌25～45min；然后将上述两种混合液进行混合，并加入稳定剂进行搅拌1.5～2.5h，制得40～60ml的溶胶；
(2)硅片衬底清洗：分别用去离子水、氢氟酸、丙酮和无水乙醇按顺序超声清洗5～10min，以获得符合要求的硅片衬底表面；
(3)SnO2薄膜制备：利用匀胶机在硅片衬底上旋涂溶胶，经胶化过程得到凝胶；凝胶经过干燥、热处理，冷却后清洗灰质制得SnO2薄膜制备。


2.根据权利要求1所述的F、Sb双元素共掺SnO2薄膜的制备方法，其特征在于：所述五水四氯化锡和无水乙醇的质量比为(1～3)：(5～6)；所述三氯化锑、氢氟酸和乙酰丙酮的质量比为(...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁凤兴，曾景，谢双斐，卢艺尹，
申请(专利权)人：广西大学，
类型：发明
国别省市：广西;45