一维光子晶体传感器膜的应用制造技术

本发明专利技术涉及一维光子晶体传感器膜的应用，属于光子晶体和分子印迹技术领域。主要技术方案如下：用光子晶体模板覆盖在前驱液上，置于紫外灯下引发聚合，待完全聚合后揭下膜，洗脱后即得具有一维光子晶体结构的分子印迹膜。根据一维光子晶体传感器膜制备的分子印迹膜的反射光谱变化可实现尼古丁的微量检测，根据不同浓度化学物质与分子印迹膜相互作用的反射光谱变化进行测定，可避免传统检测方法的繁琐步骤，并且所测的反射光谱变化明显，灵敏度较高便于观察。

【技术实现步骤摘要】
一维光子晶体传感器膜的应用
本专利技术涉及光子晶体和分子印迹
，具体涉及一维光子晶体传感器膜的应用。
技术介绍
分子印迹技术，是为获得在空间结构和结合位点上与某一特定模板分子完全匹配的聚合物的制备技术，制备得到对该分子有特异选择性的过程。
技术实现思路
本专利技术提供一维光子晶体传感器膜的应用，用于制备分子印迹膜，具体步骤为：用光子晶体模板覆盖在前驱液上，置于紫外灯下引发聚合，待完全聚合后揭下膜，洗脱后即得具有一维光子晶体结构的分子印迹膜。采用跨度为761nm,高度为75nm，台阶间距为350nm的一维光子晶体传感器膜，将光子晶体和分子印迹技术相结合，根据不同浓度尼古丁对分子印迹聚合物膜的作用不同，利用光学光谱仪测定其反射光谱强度的变化，可以实现对尼古丁含量的测定。检测原理为：当白色入射光照射在传感器表面时，反射光的波长符合光栅方程：mλ＝d(sinθ1+θD)，其中m为衍射级数，λ为衍射光波长，θ1为光源入射角；θD为反射角；d为光栅周期。当样品分子进入尼古丁分子印迹膜上的孔洞时，尼古丁分子会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一维光子晶体传感器膜的应用，其特征在于，用于制备分子印迹膜，具体步骤为：用光子晶体模板覆盖在前驱液上，置于紫外灯下引发聚合，待完全聚合后揭下膜，洗脱后即得具有一维光子晶体结构的分子印迹膜。/n

【技术特征摘要】
1.一维光子晶体传感器膜的应用，其特征在于，用于制备分子印迹膜，具体步骤为：用光子晶体模板覆盖在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭明，靳秀一，姜岚，马少敏，魏桓，
申请(专利权)人：大连大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21