一种超临界流体清洗方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种超临界流体清洗方法及其装置，该清洗方法包括：向清洗室内持续通入超临界流体；交替改变清洗室内的压力或工件的温度，以使污染物脱离工件表面；将脱离工件的污染物随超临界流体排出，完成工件清洗。清洗装置包括：一流体储罐，以提供流体源，流体源转换为超临界流体；一清洗室，其连接流体储罐，可通入或排放超临界流体，且其由至少两个横截面积不同的清洗腔体构成。本发明专利技术的超临界流体清洗方法及其装置，通过交替改变清洗室的压力或工件的温度，在污染物中重复形成空穴或气泡，并不断反复循环，使污染物从工件表面脱离达到清洗的目的，且超临界流体高的扩散系数有利于污染物与流体之间的传质，大大提高了清洗速率。

【技术实现步骤摘要】
一种超临界流体清洗方法及其装置
本专利技术涉及精密零件清洗
，尤其涉及一种超临界流体清洗方法及其装置。
技术介绍
在精密制造中，存在工件的清洗过程，如对精密电子元件、金属加工件等零件的复杂沟槽、盲孔、螺纹孔、深孔的油污和杂质进行精密清洗。传统的清洗方法使用氟利昂、三氯乙烷、三氟甲基苯等有机溶剂，主要存在两方面问题：其一清洗效果不好，不能满足要求，如渗氮、氮碳共渗件前清洗不好，将影响渗层均匀性和外观质量；其二环境污染严重，对操作员的人体健康危害大，溶剂直接排放安全隐患大，对环境污染严重，已被国内禁止或限制使用。而超临界流体具有比较高的溶解能力、接近于零的低表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力，可以对精密电子元件、金属加工件等零件上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥，且超临界流体绿色、无味无毒，不助燃，对环境友好，因此是一种理想的清洗剂。已公开专利US09662686B2披露了一种用于处理半导体晶片表面的设备和方法，其提供了一种在比处理流体中引起空化所需的声压小的声压下产生的处理流体中分散的气泡的形式的处理流体。其清洗方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超临界流体清洗方法，其特征在于，包括步骤：/n向清洗室内持续通入超临界流体；/n交替改变所述清洗室内的压力或工件的温度，以使所述超临界流体在所述工件表面的污染物中重复形成空穴或气泡，所述污染物脱离工件表面；/n将脱离工件的所述污染物随所述超临界流体排出，完成工件清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种超临界流体清洗方法，其特征在于，包括步骤：
向清洗室内持续通入超临界流体；
交替改变所述清洗室内的压力或工件的温度，以使所述超临界流体在所述工件表面的污染物中重复形成空穴或气泡，所述污染物脱离工件表面；
将脱离工件的所述污染物随所述超临界流体排出，完成工件清洗。


2.根据权利要求1所述的超临界流体清洗方法，其特征在于，所述超临界流体为二氧化碳、氮气、水、空气或惰性气体。


3.根据权利要求1所述的超临界流体清洗方法，其特征在于，所述交替改变所述清洗室内的压力的工艺为：脉冲式通入所述超临界流体，或所述超临界流体通入横截面积不同的所述清洗室。


4.根据权利要求1所述的超临界流体清洗方法，其特征在于，所述交替改变所述工件的温度的工艺为：采用加热方式改变所述工件的表面温度。


5.根据权利要求1所述的超临界流体清洗方法，其特征在于，排出的含有所述污染物的超临界流体经减压分离、增压以及降温后，重新转化为超临界流体进行循环利用。


6.根据权利要求1所述的超临界流体清洗方法，其特征在于，还包括：
在通入所述清洗室前，预先向所述超临界流体中加入甲醇、乙醇、丙酮中的一种或几种的混合。


7.一种如权利要求1-6任一项所述方法的超临界流体清洗装置，其特征在于，包括：
一流体储罐，以提供流体源，所述流体源经增压、换热后转换为超临界流体；
一清洗室，其连接所述流体储罐，可通入或排放所述超临界流体，且其由至少两个横截面积不同的清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨景峰，李卫平，杨凡，
申请(专利权)人：洛阳麦透锋科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41