半导体制程用的降温结构及其降温系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种半导体制程用的降温结构及其降温系统，包括：降温模块、温度控制模块、电源供应模块以及供水模块，降温模块包括载台，载台介于6寸至16寸之间，载台的工作温度介于0度至50度之间，载台的一侧面放置待测物，载台的另一侧面设置制冷芯片，制冷芯片的一侧面设置水冷排结构，温度控制模块调节制冷芯片的工作温度，电源供应模块提供电能给降温模块及温度控制模块，供水模块连接降温模块，供水模块包含输液管，输液管连接水冷排结构，使供水模块与水冷排结构相连通，并且形成循环回路，供水模块提供工作液体给水冷排结构，工作液体的工作温度介于18度至25度之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体制程用的降温结构及其降温系统
本技术关于一种降温结构，特别是指一种半导体制程用的降温结构及其降温系统。
技术介绍
随着科技的快速发展，高科技电子产品使用于日常生活中已是相当普遍，例如手机、主板、数字相机等电子产品，该类电子产品内部皆装设并布满许多IC半导体，而IC半导体的材料来源就是晶圆，为了能够因应各式高科技电子产品的大量需求，故晶圆代工产业皆以如何更加快速且精确制造出晶圆为目标，不断地进行研发与改良突破。晶圆的加工程序繁复且精密，大致上包括有：微影、蚀刻、扩散、离子布植、薄膜…等，其中所述微影细部流程又包括有表面清洗、涂底、烘烤(包括软烤与硬烤)、曝光、显影…等，又其中由于晶圆在烘烤过程中会产生约80度至170度的高温，因此必须先经过冷却作业才能进行下一道加工程序。然而，冷却设备包括复数个载盘并且连接多个冷水机(Chiller)，以致造成冷却设备体积过大，占据厂房大部分的空间位置，或是需要多个冷水机才能有效地使晶圆冷却，且冷却设备连接多个冷水机，在输送冷却液时振动频率大，且不能安静的运作，其造成芯片的损坏，以致不良率提高，进而增加制造成本。
技术实现思路
本技术的主要目的在提供一种半导体制程用的降温结构，其具有对特定温度梯度的调整，使待测物可在本技术中快速地降温，同时，本技术可以处理多种的温度循环(ThermailCycling)条件，包含时间、温度梯度的控制。本技术的另一目的在提供一种半导体制程用的降温结构的降温系统，其通过供水模块(Chiller)的设置，并且搭配半导体制程用的降温结构的设置，以致达到效能佳、温控佳、作业便利、占据空间小、振动频率低、大幅降低成本以及能有效地控制温度。为达到上述目的，本技术所提供的一种半导体制程用的降温结构，其包括：一降温模块，该降温模块包含一载台，该载台呈圆盘状，且该载台介于6寸至16寸之间，该载台的工作温度介于0度至50度之间，该载台的一侧面放置至少一待测物，该载台的另一侧面设置至少一制冷芯片，该制冷芯片的一侧面连接至少两个水冷排结构，该载台通过多个连接件锁固连接该多个水冷排结构，使该制冷芯片稳固于该载台及该多个水冷排结构之间；一温度控制模块，该温度控制模块电性连接该降温模块，该温度控制模块调节该多个制冷芯片的工作温度；以及一电源供应模块，该电源供应模块提供电能给该降温模块及该温度控制模块。较佳地，其中，该载台的厚度介于0.8公分至1公分之间。较佳地，其中，该多个水冷排结构的轮廓形状选自圆形或矩形的其中之一，而该多个水冷排结构内部的结构呈连续弯曲设置或呈环绕设置。较佳地，其中，该载台的材质为铝。较佳地，其中，该载台的一侧面设置多个制冷芯片，该多个制制冷芯片为并联设置，该多个制冷芯片平均分布在该载台的一侧面。较佳地，其中，该多个制冷芯片的形状为扇形。较佳地，其中，该载台的周围穿设多个穿孔，而该多个水冷排结构的周围穿设多个连接孔，该多个穿孔对应该多个连接孔，该多个连接件为螺丝，该多个连接件分别穿设该多个穿孔及该多个连接孔，使该载台锁固连接该多个水冷排结构。为达到上述目的，本技术所提供的一种半导体制程用的降温结构的降温系统，其包含：一降温模块，该降温模块包含一载台，该载台呈圆盘状，且该载台介于6寸至16寸之间，该载台的工作温度介于0度至50度之间，该载台的一侧面放置至少一待测物，该载台的另一侧面组设至少一制冷芯片，该制冷芯片的一侧面连接至少两个水冷排结构，该载台通过多个连接件锁固连接该多个水冷排结构，使该制冷芯片稳固于该载台及该多个水冷排结构之间；至少一温度控制模块，该温度控制模块电性连接该降温模块，该温度控制模块调节该多个制冷芯片的工作温度；一电源供应模块，该电源供应模块提供电能给该降温模块及该温度控制模块；以及一供水模块，该供水模块连接该降温模块，该供水模块包含至少两个输液管，该多个输液管连接该多个水冷排结构，使该供水模块与该多个水冷排结构相连通，并且形成循环回路，该供水模块提供一工作液体给该多个水冷排结构，该工作液体的工作温度介于18度至25度之间。较佳地，其中，该降温模块的数量为多个，该输液管的数量为多个，该多个降温模块及该多个输液管并联连接该供水模块。较佳地，其中，还包含至少二管件，该多个管件的一端连接该多个输液管，而该多个管件的另一端连接该多个水冷排结构。本技术所提供的半导体制程用的降温结构及其降温系统，其主要借由该温度控制模块控制该多个制冷芯片之电流量及电流方向，并且搭配该供水模块的设置，并连动控制该多个制冷芯片的两侧面之间的热能转变，而该制制冷芯片使该载台产生温度变化，又，该载台的体积介于6寸至8寸之间，以致达到体积小、提升控温的精准度和温度均匀性，更达到振动频率低、大幅降低制造成本。附图说明图1为本技术第一实施例的结构示意图。图2为本技术第一实施例的立体图。图3为本技术第一实施例的分解图。图4为本技术第一实施例的制冷芯片连接示意图。图5为本技术第一实施例的制冷芯片局部剖视图。图6为本技术第一实施例的水冷排结构内部管线示意图。图7为本技术第二实施例的水冷排结构内部管线示意图。图8为本技术第三实施例的制冷芯片连接示意图。图9为本技术第一实施例的系统示意图。附图标记说明：100-半导体制程用的降温结构；10-降温模块；11-载台；12-连接件；121-螺帽；13-穿孔；20-待测物；30-制冷芯片；31-P型半导体芯片；32-N型半导体芯片；33a、33b-载板；40-水冷排结构；41-连接孔；50-温度控制模块；60-电源供应模块；70-供水模块；71-输液管；72-工作液体；80-管件；200-降温系统。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本技术进行详细描述。第一实施例：以下，参照图式，说明本技术的半导体制程用的的降温结构的第一实施例的实施形态。请参阅图1至图5所示，图1为本技术第一实施例的结构示意图，图2为本技术第一实施例的立体图，图3为本技术第一实施例的分解图，图4为本技术第一实施例的制冷芯片连接示意图，图5为本技术第一实施例的制冷芯片局部剖视图。本技术提供一种半导体制程用的降温结构100，其包括：一降温模块10，该降温模块10包含一载台11，该载台11呈圆盘状，且该载台11介于6寸至16寸之间，该载台11的工作温度介于0度至50度之间，该载台11的一侧面放置至少一待测物20，该载台11的另一侧面设置至少一制冷芯片30，该制冷芯片30的一侧面连接至少两个水冷排结构40，该载台11通过多个连接件12锁固连接该多个水冷排结构40，使该制冷芯片30稳固于该载台11及该多个水冷排结构40之间。在本实施例中，该载台11的厚度介于0.8公分至1公分之间，该多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制程用的降温结构，其特征在于，包括：/n一降温模块，所述降温模块包括一载台，所述载台呈圆盘状，且所述载台介于6寸至16寸之间，所述载台的工作温度介于0度至50度之间，所述载台的一侧面放置至少一待测物，所述载台的另一侧面设置至少一制冷芯片，所述制冷芯片的一侧面连接至少两个水冷排结构，所述载台通过多个连接件锁固连接所述多个水冷排结构，使所述制冷芯片稳固于所述载台及所述多个水冷排结构之间；/n一温度控制模块，所述温度控制模块电性连接所述降温模块，所述温度控制模块调节所述制冷芯片的工作温度；以及/n一电源供应模块，所述电源供应模块提供电能给所述降温模块及所述温度控制模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程用的降温结构，其特征在于，包括：
一降温模块，所述降温模块包括一载台，所述载台呈圆盘状，且所述载台介于6寸至16寸之间，所述载台的工作温度介于0度至50度之间，所述载台的一侧面放置至少一待测物，所述载台的另一侧面设置至少一制冷芯片，所述制冷芯片的一侧面连接至少两个水冷排结构，所述载台通过多个连接件锁固连接所述多个水冷排结构，使所述制冷芯片稳固于所述载台及所述多个水冷排结构之间；
一温度控制模块，所述温度控制模块电性连接所述降温模块，所述温度控制模块调节所述制冷芯片的工作温度；以及
一电源供应模块，所述电源供应模块提供电能给所述降温模块及所述温度控制模块。


2.根据权利要求1所述的半导体制程用的降温结构，其特征在于，所述载台的厚度介于0.8公分至1公分之间。


3.根据权利要求1所述的半导体制程用的降温结构，其特征在于，所述多个水冷排结构的轮廓形状选自圆形或矩形的其中之一，而所述多个水冷排结构内部的结构呈连续弯曲设置或呈环绕设置。


4.根据权利要求1所述的半导体制程用的降温结构，其特征在于，所述载台的材质为铝。


5.根据权利要求1所述的半导体制程用的降温结构，其特征在于，所述载台的一侧面设置多个制冷芯片，所述多个制冷芯片为并联设置，所述多个制冷芯片平均分布在所述载台的一侧面。


6.根据权利要求1所述的半导体制程用的降温结构，其特征在于，所述制冷芯片的形状为扇形。


7.根据权利要求1所述的半导体制程用的降温结构，其特征在于，所述载台的周围穿设多个穿孔，而所述多个水冷排结...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宝曜，张宝杰，江明翰，
申请(专利权)人：博斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71