【技术实现步骤摘要】
一种LED升降压驱动电路
本技术涉及LED驱动电路领域,特别涉及一种LED升降压驱动电路。
技术介绍
市场上很多的LED驱动电路,能够根据输入的电压来调整,以输出适合用于驱动LED的电压,但这些驱动电路存在输入电压范围比较窄,输出电流单一的缺点,同时调光效果不佳。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出一种LED升降压驱动电路,具有宽输入电压、固定输出电压的优点,根据输入的电压高或低来进行降压或升压,以输出固定的电压,保证所有的LED的亮度一致。本技术的一种实施例解决其技术问题所采用的技术方案是:一种LED升降压驱动电路,包括:升降压模块,分别与外部电源和负载电连接;所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5,MOS管Q5的栅极与芯片U10连接,MOS管Q5的漏极与外部电源电连接,MOS管Q5的源极分别与芯片U10、电感L3的一端以及二极管D7和二极管D8并联后的一端连接,电感L3的另一端分别与二极管D9和二极管D10并联后的一端、MOS管Q6的漏极以及负载输出端连接,二极管D9和二极管D10并联后的一端与电容E4和电容E5并联后的一端连接,电容E4和电容E5并联后的另一端分别与二极管D7和二极管D8并联后的另一端、MOS管Q6的源极以及芯片U10连接,MOS管Q6的栅极与芯片U10连接,检测模块分别与负载输出端和芯 ...
【技术保护点】
1.一种LED升降压驱动电路,其特征在于,包括:/n升降压模块,分别与外部电源和负载电连接;/n所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块(10)、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5,MOS管Q5的栅极与芯片U10连接,MOS管Q5的漏极与外部电源电连接,MOS管Q5的源极分别与芯片U10、电感L3的一端以及二极管D7和二极管D8并联后的一端连接,电感L3的另一端分别与二极管D9和二极管D10并联后的一端、MOS管Q6的漏极以及负载输出端连接,二极管D9和二极管D10并联后的一端与电容E4和电容E5并联后的一端连接,电容E4和电容E5并联后的另一端分别与二极管D7和二极管D8并联后的另一端、MOS管Q6的源极以及芯片U10连接,MOS管Q6的栅极与芯片U10连接,检测模块(10)分别与负载输出端和芯片U10的反馈端连接;芯片U10能够根据检测模块(10)反馈的电压来调节输出的频率,电压高于预设值时减小输出频率,电压低于预设值时增大输出频率。/n
【技术特征摘要】
1.一种LED升降压驱动电路,其特征在于,包括:
升降压模块,分别与外部电源和负载电连接;
所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块(10)、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5,MOS管Q5的栅极与芯片U10连接,MOS管Q5的漏极与外部电源电连接,MOS管Q5的源极分别与芯片U10、电感L3的一端以及二极管D7和二极管D8并联后的一端连接,电感L3的另一端分别与二极管D9和二极管D10并联后的一端、MOS管Q6的漏极以及负载输出端连接,二极管D9和二极管D10并联后的一端与电容E4和电容E5并联后的一端连接,电容E4和电容E5并联后的另一端分别与二极管D7和二极管D8并联后的另一端、MOS管Q6的源极以及芯片U10连接,MOS管Q6的栅极与芯片U10连接,检测模块(10)分别与负载输出端和芯片U10的反馈端连接;芯片U10能够根据检测模块(10)反馈的电压来调节输出的频率,电压高于预设值时减小输出频率,电压低于预设值时增大输出频率。
2.根据权利要求1所述的一种LED升降压驱动电路,其特征在于:所述升降压模块还包括依次连接的EMC滤波模块(20)和防反接模块(30),EMC滤波模块(20)与外部电源电连接,防反接模块(30)与MOS管Q5的漏极电连接。
3.根据权利要求1所述的一种LED升降压驱动电路,其特征在于:还包括MCU控制模块以及与所述MCU控制模块连接的输入检测模块、...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷建文,吴忠仁,吴龙,蔡君良,
申请(专利权)人:珠海雷特科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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