一种IGBT吸收电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT吸收电容器，包括外壳、电容芯子、两引出电极片，两引出电极片分别包括外接板、伸入板和内接板，外接板与伸入板顶端相连，其中一引出电极片的内接板设在伸入板左侧面，另一引出电极片的内接板设在伸入板右侧面，两引出电极片的内接板分别与电容芯子电连接，电容芯子及伸入板、内接板位于外壳内；伸入板设有限位槽，外壳内侧面设有与两引出电极片上的限位槽一一对应的若干限位凸部，各限位凸部分别与相应的限位槽一一插接配合。本实用新型专利技术使引出电极片在外壳上的位置相对固定，不会发生左右偏移。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT吸收电容器
本技术涉及电容器领域，特别是涉及一种IGBT吸收电容器。
技术介绍
IGBT吸收电容器一般包括外壳、电容芯子、两引出电极片，两引出电极片包括外接板，伸入板和内接板，外接板与伸入板顶端相连，内接板设在伸入板左侧面或右侧面。目前，这种IGBT吸收电容器的引出电极片仅通过其外接板上设置的两个限位板卡在外壳顶端外侧，导致引出电极片容易出现左右偏移，从而无法准确限定引出电极片在外壳上的位置，造成引出电极片在外壳上的位置不稳定，而一旦引出电极片在外壳上的位置出现较大偏差，将造成引出电极片的外接板与外部器件的连接位置不够精准。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的技术问题，提供了一种能够对引出电极片有效限位的IGBT吸收电容器。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种IGBT吸收电容器，包括外壳、电容芯子、两引出电极片，两引出电极片分别包括外接板、伸入板和内接板，外接板与伸入板顶端相连，其中一引出电极片的内接板设在伸入板左侧面，另一引出电极片的内接板设在伸入板右侧面，两引出电极片的内接板分别与电容芯子电连接，电容芯子及伸入板、内接板位于外壳内；伸入板设有限位槽，外壳内侧面设有与两引出电极片上的限位槽一一对应的若干限位凸部，各限位凸部分别与相应的限位槽一一插接配合。进一步的，所述限位槽、限位凸部分别呈长条形，并位于竖向上。进一步的，所述限位槽底端开口，所述限位槽贯穿所述伸入板的前侧面和后侧面。进一步的，所述限位凸部为第一L型件，该第一L型件的一边尾端与所述外壳内侧面一体相连，且该第一L型件的一边与所述限位槽插接配合；该第一L型件的另一边配合在所述伸入板前侧。进一步的，所述外壳内侧面还设有两第二L型件，该两第二L型件均呈长条形，并位于竖向上；该两第二L型件与所述两引出电极片一一对应，该两第二L型件的一边尾端与所述外壳内侧面一体相连，且该两第二L型件的一边分别配合在相应的伸入板的左侧或右侧，两第二L型件的另一边分别配合在相应的伸入板的前侧。进一步的，所述伸入板分别设有一个所述限位槽，所述第一L型件的数量为两个，所述两第二L型件位于两第一L型件之间。进一步的，所述内接板的厚度小于所述伸入板的厚度。进一步的，所述内接板与所述伸入板垂直，并朝所述伸入板前侧延伸；所述内接板的数量为至少两个，该至少两内接板上下间隔分布。进一步的，所述外接板的左侧和/或右侧设有朝下的限位板，该限位板卡在所述外壳顶端外侧。进一步的，所述外接板呈L字形，且所述外接板的竖直部分设有安装孔，所述外接板的水平部分的尾端与所述伸入板的顶端一体相连，所述外接板的水平部分的左右两侧分别设有所述限位板。相较于现有技术，本技术具有以下有益效果：1、本技术利用限位板的限位槽与外壳内侧面的限位凸部插接配合，对引出电极片进行限位，使引出电极片在外壳上的位置相对固定，不会发生左右偏移，从而确保引出电极片的外接板与外部器件连接位置较为精准，也使IGBT吸收电容器的生产工艺更为简单，可以省去矫正引出电极片位置的工序2、所述限位槽呈长条形，并位于竖向上，能够确保引出电极片的垂直度。3、所述限位凸部为所述第一L型件，该第一L型件的另一边配合在伸入板前侧，对伸入板进行限位，使伸入板较贴合外壳内侧面，从而解决引出电极片因电容芯子形成“头轻脚重”的状态，造成伸入板与外壳内侧面间隙较大，外接板翘起的问题，同时，使后续工序更为简单、工作效率高。4、所述外壳内侧面进一步设置所述第二L型件，能够与第一L型件配合，进一步对引出电极片进行限位，从而提高对引出电极片的限位精度。以下结合附图及实施例对本技术作进一步详细说明；但本技术的一种IGBT吸收电容器不局限于实施例。附图说明图1是本技术的分解示意图；图2是本技术的其中一引出电极片的立体构造示意图；图3是本技术的其中一引出电极片的主视图；图4是本技术的外壳的俯视图；图5是本技术的立体构造示意图；图6是本技术的引出电极片与外壳在配合状态的立体构造示意图；图7是图6的俯视图；图8是图7的A-A剖视图。具体实施方式实施例，请参见图1-图8所示，本技术的一种IGBT吸收电容器，包括外壳1、电容芯子2、两引出电极片3，两引出电极片3分别包括外接板31、伸入板32和内接板33，外接板31与伸入板32顶端相连，其中一引出电极片的内接板33设在伸入板32左侧面，另一引出电极片的内接板33设在伸入板32右侧面，两引出电极片的内接板33分别与电容芯子2电连接，电容芯子2及伸入板32、内接板33位于外壳1内。伸入板32设有一个限位槽321，外壳1内侧面设有与两引出电极片3上的限位槽321一一对应的两限位凸部，各限位凸部分别与相应的限位槽321一一插接配合。本实施例中，所述限位槽321、限位凸部分别呈长条形，并位于竖向上。所述限位槽321底端开口，所述限位槽321贯穿所述伸入板32的前侧面和后侧面。定义伸入板32与外壳1内侧面贴近的一面为后侧面，定义伸入板32贴近电容芯子2的一面为前侧面。本实施例中，所述限位凸部为第一L型件11，该第一L型件11的一边111尾端与所述外壳1内侧面一体相连，且该第一L型件11的一边111与所述限位槽321插接配合；该第一L型件11的另一边112配合在所述伸入板32前侧。两第一L型件11的另一边112相对设置。本实施例中，所述外壳1内侧面还设有两第二L型件12，该两第二L型件12位于两第一L型件11之间，且该两第二L型件12均呈长条形，并位于竖向上。该两第二L型件12与所述两引出电极片3一一对应，该两第二L型件12的一边121尾端与所述外壳1内侧面一体相连，且该两第二L型件12的一边121分别配合在相应的伸入板32的左侧或右侧，两第二L型件12的另一边122分别配合在相应的伸入板32的前侧。本实施例中，所述内接板33与所述伸入板32垂直，并朝所述伸入板32前侧延伸；所述内接板33的数量为两个，该两内接板33上下间隔分布。所述内接板33呈长条形，并且所述内接板33的厚度小于所述伸入板32的厚度，使得内接板33的厚度较薄，更易于与电容芯子2焊接固定。本实施例中，所述外接板31的左侧和右侧分别设有朝下的限位板312。具体，所述外接板31呈L字形，且所述外接板31的竖直部分设有安装孔311，所述外接板31的水平部分的尾端与所述伸入板32的顶端一体相连，所述外接板31的水平部分的左右两侧分别设有所述限位板312。在其它实施例中，所述外接板31呈一字型。本技术的一种IGBT吸收电容器，组装时，先将两引出电极片的内接板33分别与电容芯子2相对的两侧面进行焊接固定，再将电容芯子2连同伸入板32、内接板33置入外壳1内，在此过程中，将各伸入板32的限位槽321的底端开口对准第一L型件11的一边，并下压引出电极片3，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT吸收电容器，包括外壳、电容芯子、两引出电极片，两引出电极片分别包括外接板、伸入板和内接板，外接板与伸入板顶端相连，其中一引出电极片的内接板设在伸入板左侧面，另一引出电极片的内接板设在伸入板右侧面，两引出电极片的内接板分别与电容芯子电连接，电容芯子及伸入板、内接板位于外壳内；其特征在于：两引出电极片的伸入板分别设有限位槽，外壳内侧面设有与两引出电极片上的限位槽一一对应的若干限位凸部，各限位凸部分别与相应的限位槽一一插接配合。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT吸收电容器，包括外壳、电容芯子、两引出电极片，两引出电极片分别包括外接板、伸入板和内接板，外接板与伸入板顶端相连，其中一引出电极片的内接板设在伸入板左侧面，另一引出电极片的内接板设在伸入板右侧面，两引出电极片的内接板分别与电容芯子电连接，电容芯子及伸入板、内接板位于外壳内；其特征在于：两引出电极片的伸入板分别设有限位槽，外壳内侧面设有与两引出电极片上的限位槽一一对应的若干限位凸部，各限位凸部分别与相应的限位槽一一插接配合。


2.根据权利要求1所述的IGBT吸收电容器，其特征在于：所述限位槽、限位凸部分别呈长条形，并位于竖向上。


3.根据权利要求2所述的IGBT吸收电容器，其特征在于：所述限位槽底端开口，所述限位槽贯穿所述伸入板的前侧面和后侧面。


4.根据权利要求3所述的IGBT吸收电容器，其特征在于：所述限位凸部为第一L型件，该第一L型件的一边尾端与所述外壳内侧面一体相连，且该第一L型件的一边与所述限位槽插接配合；该第一L型件的另一边配合在所述伸入板前侧。


5.根据权利要求4所述的IGBT吸收电容器，其特征在于：所述外壳内侧面还设有两第二L型件，该两第二L型件均呈长条形，并位...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱未，陈建立，蔡玲儿，薛吉，汪新建，
申请(专利权)人：浙江宏发五峰电容器有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33