【技术实现步骤摘要】
一种校准晶圆片
本技术涉及半导体校准的
，特指一种校准晶圆片，可用于滤波器或双工器的探卡校准量测。
技术介绍
滤波器件有谐振器、单滤波器或双工器等，需要通过量测其散射参数S11/S12/S21/S22等来计算滤波器的中心频率、插损和带宽等电气特性值。现有技术中，对于射频器件的量测，如滤波器器件的量测系统，包含网络分析仪，探针台和待测器件。测试前，需要对量测系统进行校准，主要是对从网络分析仪的源端开始，通过一端的探针到待测器件，再从待测器件另一端的探针到网络分析仪的接收端，整个回路进行以下四个方面的校准：Thru（直通）、Short（短路）、Open（开路）和Load（负载）。通常，谐振器的校准可以通过以下的方形校准片进行完整回路的校准。利用探针扎一个方形的标准校准片5上的三种校准图形进行校准，如图1和图2所示，直通校准单元（Thru）、短路校准单元（Short）和负载校准单元（Load），但是，存在以下问题。第一、校准图形中的负载校准单元，因校准过程需要精确匹配50欧姆的电阻值，故此，校准图形中...
【技术保护点】
1.一种校准晶圆片，其特征在于：在晶圆上具有多组校准图形，每组校准图形包括直通校准单元、短路校准单元和负载校准单元；至少一组负载校准单元中的匹配电阻具有电阻值粗调部和/或电阻值微调部。/n
【技术特征摘要】
1.一种校准晶圆片，其特征在于：在晶圆上具有多组校准图形，每组校准图形包括直通校准单元、短路校准单元和负载校准单元；至少一组负载校准单元中的匹配电阻具有电阻值粗调部和/或电阻值微调部。
2.根据权利要求1所述的一种校准晶圆片，其特征在于：电阻值粗调部是以第一方向上激光修整电阻值方式形成的图形，电阻值微调部是以第二方向上激光修整电阻值方式形成的图形，在第一方向上匹配电阻的长度大于第二方向上匹配电阻的长度。
3.根据权利要求2所述的一种校准晶圆片，其特征在于：第一方向为Y轴方向，第二方向为X轴方向；或者，第一方向为X轴方向，第二方向为Y轴方向。
4.根据权利要求1所述的一种校准晶圆片，其特征在于：晶圆为高阻硅晶圆，所述高阻硅晶圆的阻抗值要求大于4...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗捷，林科闯，谢祥政，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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