一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱。该二维MXene功能化的In

【技术实现步骤摘要】
一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱
本技术涉及InxGa1-xN纳米柱、能源与催化领域，特别涉及一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱。
技术介绍
光电化学(Photoelectrochemical，PEC)分解水制氢能够将太阳能有效地转换和存储为清洁的、可再生的氢能，是解决目前的能源危机最为有前景的手段之一。近年来，三元化合物半导体InxGa1-xN纳米柱在PEC分解水中具有重要的应用前景，主要由于InxGa1-xN带隙从0.68eV到3.4eV可调，可实现宽光谱范围内的光电解水；另外InxGa1-xN电子迁移率大，导电性强，能有效降低光解水的成本；其次，InxGa1-xN纳米柱自身比表面积大，能增强光吸收，能提供更多的反应活性位点。然而，InxGa1-xN纳米柱生长主要基于蓝宝石、单晶Si衬底。而它们往往存在着电阻率较大(蓝宝石1014Ω·cm，掺杂Si～10Ω·cm)、成本高等问题。另外比如单晶Si作为衬底时，生长的InxGa1-xN纳米柱与Si衬底之间会形成SiNx绝缘层。该绝缘层不仅会增大载流子输运本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维MXene功能化的In

【技术特征摘要】
1.一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱，其特征在于，包括衬底（1）、衬底（1）上的MXene层（2）、生长在MXene层（2）上的InxGa1-xN纳米柱（3）；其中0≤x≤1。


2.根据权利要求1所述的一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱，其特征在于，所述衬底为Si或FTO衬底。


3.根据权利要求1所述的一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱，其特征在于，所述MXene为Ti3C2、V2C、Ta4C3、MoC3、Ti3CN中的一种。


4.根据权利要求1所述的一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱，其特征在于，所述衬底上的MXene层厚度为3nm~2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，林静，余粤锋，张志杰，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44