【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于测量磁场数值的传感器件,特别是利用磁性颗粒薄带的各向同性磁致电阻效应做成的各向同性磁场传感器件。现有的磁场传感器主要有(1)半导体霍尔元件。这种元件的输出信号小,线性在高场区变坏。(2)各向异性薄膜磁电阻传感器。这类传感器一般要求有偏置磁场,设计复杂,且主要应用于低场。(3)利用检测线圈测磁场。这种方式要求线圈制作非常精确,信号处理要求高,成本高。以上几种传感器的共同不是之处是它们的各向异性,即所测的磁场实际是磁场在某一方向的分量,要测出磁场的数值必须选择测量方向。在测量非均匀场如磁体的表磁和杂散场时,测量变得复杂,缺乏可靠性。迄今为止,尚没有一种可以迅速测出某一点磁场数值的各向同性测量范围广的磁场传感器。参考文献1“颗粒铁磁系统中的巨负磁阻”(Giant negative magnetoresistance in granular ferromagnetic systems)应用物理杂志 第73卷第10期1993年5月15日(J.Appl.Phys 73(10),15 May 1993)本专利技术的目的在于克服上述已有技术的缺点和不足, ...
【技术保护点】
一种各向同性的磁场传感器,包括电源、敏感元件和标准电阻组成的信号检测电桥、差分放大器等三部分,其特征在于:敏感元件是由具有各向同性磁致电阻效应的颗粒薄带材料制作而成的各向同性磁电阻。磁电阻(1)、标准电阻(2)、磁电阻或标准电阻(4)和标准电阻(3)首尾相连构成电桥的四个臂。磁电阻(1)和标准电阻(3)的公共端接电源的正极,而标准电阻(2)和电阻(4)的公共端接电源的负极,磁电阻(1)和标准电阻(2)的公共端接在差分放大器的同相输入端,而标准电阻(3)和电阻(4)的公共端接差分放大器的反相输入端。所用的电源可以是稳流电源,或是稳压电源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赵学根,李民,赵见高,沈保根,贾克昌,赵同云,
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。