【技术实现步骤摘要】
电路板和电动油泵
本技术涉及电路板和电动油泵。
技术介绍
以往,公知有如下电路板,其具有:基板;正极端子和GND端子,它们用于输入直流的外部电源;以及反向连接保护电路,其在所述外部电源相对于所述正极端子和所述GND端子的正负的连接相反的情况下,对基板内的电路进行保护。例如,专利文献1所记载的电路板具有作为正极端子的正极电源端子、作为GND端子的负极电源端子以及反向连接保护电路。反向连接保护电路具有MOSFET(MetalOxideSemiconductorFET:金属氧化物半导体场效应晶体管)。专利文献1:日本特开2019-17128号公报在专利文献1所记载的电路板中,考虑为,在连接有可能产生过渡性的过电压(过渡浪涌)(例如,额定电压的2倍以上的瞬间脉冲)的外部电源的情况下,作为对策而使用耐高压的MOSFET。但是,如果使用耐高压的MOSFET,则存在引起成本变高的问题。
技术实现思路
因此,本技术的目的在于,提供与使用耐高压的MOSFET的情况相比,能够以低成本防止过电压对MOSFE ...
【技术保护点】
1.一种电路板,其具有:/n基板;/n正极端子和GND端子,它们用于输入直流的外部电源;以及/n反向连接保护电路,其在所述外部电源相对于所述正极端子和所述GND端子的正负的连接相反的情况下,对所述基板内的电路进行保护,/n所述反向连接保护电路具有MOSFET,/n其特征在于,/n该电路板具有:/n第1基板布线,其与所述MOSFET的源极端子连接;/n第2基板布线,其与所述GND端子连接;以及/n旁路电路,其在所述外部电源的输出电压为规定值以上的情况下,供电流从所述第1基板布线朝向所述第2基板布线流动,/n所述规定值是比所述MOSFET的栅极-源极之间的耐电压小的值。/n
【技术特征摘要】
20190329 JP 2019-066641;20191118 JP 2019-2078871.一种电路板,其具有:
基板;
正极端子和GND端子,它们用于输入直流的外部电源;以及
反向连接保护电路,其在所述外部电源相对于所述正极端子和所述GND端子的正负的连接相反的情况下,对所述基板内的电路进行保护,
所述反向连接保护电路具有MOSFET,
其特征在于,
该电路板具有:
第1基板布线,其与所述MOSFET的源极端子连接;
第2基板布线,其与所述GND端子连接;以及
旁路电路,其在所述外部电源的输出电压为规定值以上的情况下,供电流从所述第1基板布线朝向所述第2基板布线流动,
所述规定值是比所述MOSFET的栅极-源极之间的耐电压小的值。
2.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,
该电路板具有与所述MOSFET的栅极端子连接的第3基板布线,
所述旁路电路具有以电的方式介于所述第1基板布线与所述第2基板布线之间并相互串联连接的齐纳二极管和电阻元件,
所述齐纳二极管以电的方式介于所述第1基板布线与所述第3基板布线之间,
所述电阻元件以电的方式介于所述第3基板布线与所述第2基板布线之间,
所述齐纳二极管的齐纳电压比所述MOSFET的栅极-源极之间的耐电压低。
3.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,
该电路板具有与所述MOSFET的栅极端子连接的第3基板布线,
所述旁路电路具有以电的方式介于所述第1基板布线与所述第2基板布线之间并相互串联连接的变阻器和电阻元件,
所述变阻器以电的方式介于所述第1基板布线与所述第3基板布线之间,
所述电阻元件以电...
【专利技术属性】
技术研发人员:关雄策,关口知里,高尾润一,小长谷康明,
申请(专利权)人:日本电产东测有限公司,
类型:新型
国别省市:日本;JP
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