一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法技术

本申请实施例公开了一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法，静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路；正向放电通路的输入端和反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；正向放电通路的输出端和反向放电通路的输入端，与场效应管接入的接地端连接；静电放电保护电路，用于在场效应管出现静电放电现象的情况下，利用正向放电通路或反向放电通路对场效应管进行过压或过流保护。

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法
本申请实施例涉及射频功率放大器保护
，尤其涉及一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法。
技术介绍
静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)保护电路，是一种为了保护电子元件或电子系统受到过度电性应力破坏而设计的电路。电性应力破坏会导致半导体元件形成永久性的毁坏，从而影响集成电路(IntegratedCircuits，ICs)的电路功能，使电子产品不能正常工作。目前，针对于射频功率放大器的静电放电保护，主要采用两种方式，一种方式是利用射频功率放大器的场效应管的自身能力，化解电压电流，如图1所示，然而，需要采用较大尺寸的场效应管，另一种方式如图2所示，将静电放电保护电路连接于场效应管的漏极，但是，漏极电压电流摆幅较高，静电放电保护电路需要叠加很多的二极管，造成寄生电阻和寄生电容过大，从而影响阻抗匹配。
技术实现思路
本申请实施例提供一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法，将静电放电保护电路与电源端和接地端连接，使静电放电保护电路的电压摆幅降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频功率放大器的静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路；/n所述正向放电通路的输入端和所述反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；/n所述正向放电通路的输出端和所述反向放电通路的输入端，与所述场效应管接入的接地端连接；/n所述静电放电保护电路，用于在所述场效应管出现静电放电现象的情况下，利用所述正向放电通路或所述反向放电通路对所述场效应管进行过压或过流保护。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器的静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路；
所述正向放电通路的输入端和所述反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；
所述正向放电通路的输出端和所述反向放电通路的输入端，与所述场效应管接入的接地端连接；
所述静电放电保护电路，用于在所述场效应管出现静电放电现象的情况下，利用所述正向放电通路或所述反向放电通路对所述场效应管进行过压或过流保护。


2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述正向放电通路包括：堆叠耐压不小于所述电源端的电压反向摆幅最大值，且依次首尾连接的第一预设数量个正向偏置二极管。


3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述第一预设数量，基于所述电源端的电压正向摆幅最大值和所述正向偏置二级管的开启电压确定。


4.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述反向放电通路包括：堆叠耐压不小于所述电源端的电压正向摆幅最大值，且依次首尾连接的第二预设数量个反向偏置二极管。


5.根据权利要求4所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述第二预设数量，基于所述电源端的电压反向摆幅最...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏强，彭振飞，陈帅，
申请(专利权)人：广州慧智微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44