一种防止热插拔电压突波的保护电路及保护方法技术

本发明专利技术公开了一种防止热插拔电压突波的保护电路及保护方法，涉及电路设计技术领域。所述电路包括功率MOS场效应晶体管、光电耦合器D2及阻抗电阻；所述功率MOS场效应晶体管包括N沟道功率MOS管Q3和P沟道功率MOS管Q2；所述光电耦合器D2输入端的阴极与功率MOS管Q3的G极连接，集电极输出端与功率MOS管Q2的G极连接；所述阻抗电阻包括低阻抗电阻R2及高阻抗电阻R3和R4。本实施例采用上述保护电路取代传统热插拔线路上的突波保护组件TVS，有效改善了输入端突波保护的反应速度，并增加了微小突波时的告警功能，避免了突波保护装置反应过慢导致后端组件损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种防止热插拔电压突波的保护电路及保护方法
本专利技术实施例涉及电路设计
，具体来说涉及一种防止热插拔电压突波的保护电路及保护方法。
技术介绍
热插拔控制器是分布式电源系统中提供高度理想的系统保护和电气管理的一种首选方法，尤其满足服务器市场的严格要求。热插拔控制器的特点通常包括对带电电路板插入和拆卸的安全控制、故障监控诊断和保护以及高精度电气环境的控制。在实际应用中，如果服务器机架的一个线卡中发生故障，则该故障应与该特定线卡保持隔离，并且既不影响系统底板也不影响该带电底板供电的其他线卡。因此，为了保证可靠性，服务器系统设计人员必须考虑热插拔电路的寄生效应和相关的瞬态行为。在现有的设计中，如图1所示，为了防止突波电压损坏易损的下游组件，在分流保护配置时，通常将一个快速响应的单向TVS硅二极管从VIN连接至GND。TVS二极管类似于齐纳二极管，且具有优化的裸片面积和键合功能，可满足雪崩击穿期间存在的大浪涌电流和峰值功耗。因此，从理论上讲采用该种保护机制简单易行，在正常工作条件下，TVS二极管对受保护电路呈高阻抗，但是超过受保护电路的安本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止热插拔电压突波的保护电路，其特征在于，包括功率MOS场效应晶体管、光电耦合器D2及阻抗电阻；/n功率MOS场效应晶体管包括N沟道功率MOS管Q3和P沟道功率MOS管Q2；/n光电耦合器D2输入端的阴极与功率MOS管Q3的G极连接，集电极输出端与功率MOS管Q2的G极连接；/n阻抗电阻包括低阻抗电阻R2及高阻抗电阻R3和R4。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止热插拔电压突波的保护电路，其特征在于，包括功率MOS场效应晶体管、光电耦合器D2及阻抗电阻；
功率MOS场效应晶体管包括N沟道功率MOS管Q3和P沟道功率MOS管Q2；
光电耦合器D2输入端的阴极与功率MOS管Q3的G极连接，集电极输出端与功率MOS管Q2的G极连接；
阻抗电阻包括低阻抗电阻R2及高阻抗电阻R3和R4。


2.根据权利要求1所述的一种防止热插拔电压突波的保护电路，其特征在于，所述阻抗电阻R2、R3和R4的一端接输入电压Vin，另一端分别连接MOS管Q2的S极、光电耦合器D2输入端的阳极以及MOS管Q3的S极，MOS管Q2的D极及光电耦合器D2的发射极均接地。


3.根据权利要求1所述的一种防止热插拔电压突波的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括限流电阻R5及限流电阻R7；电阻R5的一端与MOS管Q3的D极连接，另一端接入电路系统；电阻R7的一端与光电耦合器D2输入端的阴极连接，另一端接地。


4.根据权利要求1所述的一种防止热插拔电压突波的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括电流检测电阻R1、N沟道功率MOS管Q1及输出电容C1；电流检测电阻R1的一端接输入电压Vin，另一端与MOS管Q1的S极连接；MOS管Q1的G极连接热插拔控制器，另一端接输出电压Vout；输出电容C1的一端接输出电压Vout，另一端接地。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨益昌，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32