一种小电流传感器制造技术

技术编号:2643254 阅读:164 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种小电流传感器,它包括有一铁芯、一缠绕在所述铁芯上的线圈以及一穿过所述铁芯中部的信号导线,在所述线圈的外侧设置有一第一屏蔽层,在所述第一屏蔽层的外侧设置第二屏蔽层;所述第一屏蔽层呈圆柱状,其与所述铁芯及线圈同轴,并将所述铁芯及线圈容置其中;所述第二屏蔽层上设置至少一有导线孔。本实用新型专利技术所采用的两层屏蔽结构,既能保证传感器穿芯的特点,又能克服外界磁场的干扰,而且保证了高精度小电流传感器在施加100A/m的工频磁场时,角差变化不超过2’,比差变化不超过0.5%。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及传感器,特别是涉及一种高精度小电流传感器
技术介绍
高压电气设备状态监测系统中需要采用穿芯式精度比较高的小电流传感器,目前广泛使用的穿芯式小电流传感器,均采用高磁导率的材料,很容易受外界磁场特别是工频磁场(穿透能力强)干扰。为此,人们对传感器内的线圈进行了屏蔽,以期待能减少对其的干扰,但是对于比较高的精度及性能的要求,比如监测单元的工作环境要求抗工频磁场干扰能力达到GB/T17626.8-98标准4级,即100A/m,仅仅采用现在的对线圈屏蔽的单层屏蔽结构已经无法满足要求。专利技术创造内容本技术的目的是提供一种抗工频磁场干扰能力强、结构简单、使用方便、精度高的小电流传感器。为实现上述目的,本技术采取技术方案一种小电流传感器,它包括有一铁芯、一缠绕在所述铁芯上的线圈以及一穿过所述铁芯中部的信号导线,在所述线圈的外侧设置有第一屏蔽层,在所述第一屏蔽层的外侧设置第二屏蔽层。实际操作的时候,所述第一屏蔽层呈圆柱状,其与所述铁芯及线圈同轴,并将所述铁芯及线圈包容其中。所述第一屏蔽层轴向不闭合,即中间留有穿芯孔,外部表面留有一缝隙,缝隙轴向宽为1~2mm。所述第二屏蔽层呈四方体状,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小电流传感器,它包括有一铁芯、一缠绕在所述铁芯上的线圈以及一穿过所述铁芯中部的信号导线,其特征在于:在所述线圈的外侧设置有一第一屏蔽层,在所述第一屏蔽层的外侧设置第二屏蔽层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:鞠登峰樊炜杨晓洪
申请(专利权)人:北京伏安电气公司
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]

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