【技术实现步骤摘要】
功率放大器散热结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别涉及一种功率放大器散热结构及其制备方法。
技术介绍
在现代通信系统中要求微波系统不断向着高增益、高功率密度、低成本及高可靠性发展。功率放大器很大程度上决定了整个微波系统输出系统的输出性能。随着对新一代微波功率放大器高功率密度的不断要求，散热成为小型化功率放大器的设计难点。常规的功率放大器芯片一般使用的金属外壳进行封装以保证散热，但金属外壳价格成本高且量产周期较长。扇出封装可实现低成本的封装量产，相比传统的金属、陶瓷管壳封装，可最大程度地实现功率放大器产品的小型化。扇出结构采用环氧树脂等塑封料来缓解各封装材料之间由于热膨胀系数不匹配产生的应力问题。但环氧树脂的导热系数较低，使得扇出塑封结构较金属封装在散热能力上颇有不足。为进一步改善功率放大器扇出封装结构的散热，通常在封装外壳上以导热硅脂连接鳍片、插齿等外部散热器，但与封装外壳相接触的导热硅脂导热系数较小，且容易在连接处产生较大的接触热阻，外接的散热器通常尺寸较大，且难以满足高效散热的目的。<...
【技术保护点】
1.一种功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，包括：/n在载板上形成重新布线层和介质层；/n在所述重新布线层上形成导电柱和导电层；/n将均热板附连至芯片上；/n将所述芯片附连至所述导电层；/n依次形成塑封层与散热层，所述散热层附连至所述导电柱和所述均热板。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，包括：
在载板上形成重新布线层和介质层；
在所述重新布线层上形成导电柱和导电层；
将均热板附连至芯片上；
将所述芯片附连至所述导电层；
依次形成塑封层与散热层，所述散热层附连至所述导电柱和所述均热板。
2.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，均热板由以下步骤进行制备：
在两个盖板上分别加工凹槽，两个所述凹槽的侧边具有位置相对应的进液口，两个所述凹槽的底面具有位置相对应的支撑结构；
在两个所述凹槽中的至少一个的底面形成多孔介质层；
将两个盖板扣合后，形成所述均热板的外框架及腔体；
在所述腔体内注入冷却工质；
将所述腔体进行抽真空后密封。
3.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，在载板上形成重新布线层和介质层包括：
在载板上形成第一层介质层，所述第一层介质层通过旋涂工艺、喷涂工艺或压合工艺形成；
在第一层介质层上进行光刻形成焊盘开口，形成电镀种子层，在电镀种子层上形成光刻胶掩膜，电镀，形成第一层重新布线层；
重复上述步骤完成多层介质层及多层重新布线层的制备。
4.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，在所述重新布线层上形成导电柱和导电层包括：
在最后一层介质层上形成电镀种子层，在电镀种子层上形成光刻胶掩膜，形成导电柱下金属层，通过电镀形成导电柱，所述导电柱为所述芯片提供接地通路；
在最后一层介质层上电镀种子层，在电镀种子层上形成光刻胶掩膜，进行光刻，形成焊盘开口后电镀，形成所述导电层。
5.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，将所述均热板附连至所述芯片上包括：
采用第一焊料将所述均热板的下表面与所述芯片上方金属层通过回流焊工艺或钎焊工艺进行焊接；
将所述芯片附连至所述导电层包括：
采用第二焊料将芯片下方凸点与所述导电层的凸点通过电镀工艺、植球工艺或回流焊工艺进行附...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘云婷，苏梅英，李君，曹立强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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