【技术实现步骤摘要】
一种用于微波基片的陶瓷填充PTFE基复合材料及其制备方法和应用
本专利技术属于微波通信
,更具体地,涉及一种用于微波基片的陶瓷填充PTFE基复合材料及其制备方法和应用。
技术介绍
随着5G时代的来临,通信领域正在迎来大变革,随之带来的是通信材料发展的迫切需要。微波基片作为通信材料中的重要成员,也被提出了更高的要求以满足新技术的需求。微波基片材料需要在高频下拥有低介电损耗、高化学稳定性、理想的热膨胀系数、高的热导率以及较高的介电常数(针对天线、滤波器的小型化等需求)。聚四氟乙烯(PTFE)是一种新型高分子材料,由于拥有几乎最低的介电损耗,具有高化学稳定性和高熔点(~320℃),是一种理想的微波基板材料,但对于微波通讯所需的材料而言,其热导率差、膨胀系数高、介电常数低的缺点也尤为明显。因此,将金属或陶瓷作为填料的制备PTFE基复合材料的方法进入研究视野。但是,在加入金属填料后,虽然改善了材料的热导率,其介电性能却大大降低。由于陶瓷填充聚合物复合材料结合了聚合物的机械灵活性和加工可能性,以及陶瓷优异的介电性能 ...
【技术保护点】
1.一种用于微波基片的陶瓷填充PTFE基复合材料,其特征在于,所述陶瓷填充PTFE基复合材料是将硅烷偶联剂加入去离子水中充分搅拌,使硅烷偶联剂水解,然后将钼酸铋粉末和短玻纤加入水解后的硅烷偶联剂中充分搅拌,制得改性的钼酸铋和改性的短玻纤;然后将改性后的混合物与PTFE充分球磨混合;再将上述混合物与水充分研磨混合后,在20~40MPa的压力下,在120~150℃加热制得。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于微波基片的陶瓷填充PTFE基复合材料,其特征在于,所述陶瓷填充PTFE基复合材料是将硅烷偶联剂加入去离子水中充分搅拌,使硅烷偶联剂水解,然后将钼酸铋粉末和短玻纤加入水解后的硅烷偶联剂中充分搅拌,制得改性的钼酸铋和改性的短玻纤;然后将改性后的混合物与PTFE充分球磨混合;再将上述混合物与水充分研磨混合后,在20~40MPa的压力下,在120~150℃加热制得。
2.根据权利要求1所述的用于微波基片的陶瓷填充PTFE基复合材料,其特征在于,所述PTFE、钼酸铋粉末、短玻纤、硅烷偶联剂的体积比为(27~47):(50~70):(1~3):(0.1~0.5)。
3.根据权利要求1所述的用于微波基片的陶瓷填充PTFE基复合材料,其特征在于,所述硅烷偶联剂和去离子水的质量比为1:(400~800)。
4.根据权利要求1所述的用于微波基片的陶瓷填充PTFE基复合材料,其特征在于,所述混合物和水的体积比为(15~30):1。
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚英邦,罗文豪,戴文斌,陈雁榕,鲁圣国,梁波,陶涛,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。