【技术实现步骤摘要】
四氯代联噻吩、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用
本专利技术涉及氯代噻吩类化合物及其聚合物的合成及应用，属于有机半导体材料领域，特别是涉及四氯代联噻吩、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用。
技术介绍
共轭聚合物是一类重要的有机光电功能材料，可用于制备多种光电器件，如有机薄膜晶体管(OTFT)、有机光伏器件(OPV)、有机发光二极管(OLED)等(Mater.Chem.Front.,2019,3,1932；Angew.Chem.Int.Ed.,2019,58,4442)。其中，具有电子传输特性的n型共轭聚合物和同时具有空穴和电子传输特性的双极型共轭聚合物的研究与发展受到研究者的广泛关注，开发新的n型和双极型共轭聚合物并用于制备OTFT具有重要意义。n型和双极型聚合物的具有较低的最高未占据轨道(LUMO)和最高被占轨道(HOMO)能级。在聚合物的主链引入强吸电子基团或原子能够有效降低的HOMO/LUMO能级，使聚合物呈现出n型或双极型特征。传统的共轭聚合物的合成方法主要是过渡金属催化的交叉偶联聚合反应，包括Still...
【技术保护点】
1.四氯代联噻吩化合物；其特征是结构如下：/n四氯代联噻吩如(I)所示的：/n
【技术特征摘要】
1.四氯代联噻吩化合物；其特征是结构如下：
四氯代联噻吩如(I)所示的：
2.由权利要求1的化合物聚合得到的四氯代联噻吩聚合物，其特征是四氯代联噻吩聚合物式(II)所示：
其中，A代表第二共聚单元，n为重复单元数，n的范围是自然数5-50。
3.如权利要求2所述的聚合物，其特征是所述的A为式(III)～式(X)所示结构的一种，
其中，R是链烷基，其结构为式(XI)或式(XII)所示之一：
其中，R1和R2分别为C6～C18的直烷基链，R1和R2的碳原子数目相等或不相等。
4.权利要求1的化合物四氯代联噻吩的制备方法，其特征是包括如下步骤：
3,4-二氯噻吩与与二异丙基铵基锂以四氢呋喃为溶剂在-45℃～-80℃条件下反应30分钟～120分钟，加入无水氯化铜，恢复到室温后反应过夜，经柱层析提纯得到式(I)所示化合物四氯代联噻吩。
5.如权利要求4所述的方法，其特征是所述步骤中以3,4-二氯噻吩为1倍摩尔量，3,4-二氯噻吩、二异丙基铵基锂、无水氯化铜的用量摩尔比为1：0.9～1.0：0.95～1.05。加入溶剂...
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