【技术实现步骤摘要】
真空系统中光学元件表面沉积污染物的去除方法
本专利技术涉及光学元件，特别是一种真空系统中光学元件表面沉积污染物的原位去除方法。
技术介绍
空间环境下，由于材料释气效应，光学元件表面往往存在污染物沉积效应，极大地降低了光学元件抗激光损伤阈值，使得光学元件寿命下降。同时地面真空环境中同样存在真空释气效应及真空泵的污染，在激光的作用下，污染物容易沉积到光学元件表面。对于空间激光光学元件，一旦发生激光损伤，无法进行更换。激光诱导污染是空间环境中光学元件损伤性能及寿命下降的关键因素。沉积的污染物通常是复杂的有机物，具体和真空中使用的线缆、粘合剂等有机物有关。目前尚无有效在线去除沉积污染物的有效方法。激光光学元件对缺陷十分敏感，因此沉积污染物去除的同时应保证不引入其他诱导激光损伤的缺陷。常用的酸碱刻蚀等方式会因为化学反应而生成可诱导激光损伤的缺陷。超声、擦拭等手段不能彻底去除污染物。此外，离线去除手段，通常会使真空度反复变化，同时进入空气吸附尘埃等，增加了污染概率。为了能够有效去除空间激光元件表面污染沉积，使用在...
【技术保护点】
1.一种真空系统中光学元件表面沉积污染物的原位去除方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：/n1)将射频(RF)离子源和热灯丝型中和器放置到真空系统中，所述的离子源的发射方向朝向所述的光学元件表面，所述的离子源距离光学元件表面距离为15cm-50cm，中和器位于离子源发射出口的后方；/n2)所述的真空系统处于真空度高于4.0×10
【技术特征摘要】
1.一种真空系统中光学元件表面沉积污染物的原位去除方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：
1)将射频(RF)离子源和热灯丝型中和器放置到真空系统中，所述的离子源的发射方向朝向所述的光学元件表面，所述的离子源距离光学元件表面距离为15cm-50cm，中和器位于离子源发射出口的后方；
2)所述的真空系统处于真空度高于4.0×10-4Pa的高真空后，开启离子源和中和器，离子源的工作气体为氩气或氦气，束压为900-1300V，束流为4...
【专利技术属性】
技术研发人员：王胭脂，郭可升，陈瑞溢，张宇辉，朱晔新，朱美萍，张伟丽，王建国，孙建，易葵，邵建达，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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