一种PWM驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路结构技术领域，尤其是指一种PWM驱动电路，其包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；本实用新型专利技术设计巧妙，经过开关管Q4和开关管Q5组成的推挽驱动，加强驱动能力，驱动MOS管Q2和MOS管Q3，组成双晶正激的电路，绕组T2作为隔离驱动变压器，把PWM信号分为交错导通的驱动信号，实现了直流变交流的功能，二极管D3和二极管D6分别是钳位二极管，把在开关室产生的尖峰等予以降低或消除，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种PWM驱动电路
本技术涉及电路结构
，尤其是指一种PWM驱动电路。
技术介绍
目前的PWM驱动电路驱动能力差，不能实现直流变交流的功能，电路结构存在缺陷，并且存在电磁干扰(EMI)。因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
本技术针对现有技术的问题提供一种PWM驱动电路，设计巧妙，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：本技术提供的一种PWM驱动电路，包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWMIN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PWM驱动电路，其特征在于：包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWM IN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的漏极与二极管D3的阳极、绕组T1初级侧的一端连接，所述电容C21的另一端与绕组T2初级侧的一端连接，所述绕组T2初级侧的另...

【技术特征摘要】
1.一种PWM驱动电路，其特征在于：包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWMIN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的漏极与二极管D3的阳极、绕组T1初级侧的一端连接，所述电容C21的另一端与绕组T2初级侧的一端连接，所述绕组T2初级侧的另一端接地，所述绕组T2次级侧的两端分别与电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋旭东，许文才，尚云飞，
申请(专利权)人：广东迅扬科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44