一种PWM驱动整流电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路结构技术领域，尤其是指一种PWM驱动整流电路，其包括PWM驱动单元与PWM驱动单元连接的同步整流单元；本实用新型专利技术设计巧妙，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制；绕组T1连接至MOS管Q11和MOS管Q12的栅极，通过自耦的方式，减少了激式驱动所需的IC，减少了设计占用的物理空间，采用MOS管代替常规的二极管整流，极大的减小了导通瞬间因二极管压降造成的损坏，提高效率的同时，还可以减小电脑散热器的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种PWM驱动整流电路
本技术涉及电路结构
，尤其是指一种PWM驱动整流电路。
技术介绍
目前的PWM驱动电路驱动能力差，不能实现直流变交流的功能，电路结构存在缺陷，并且存在电磁干扰(EMI)；另外，目前电脑中的同步整流采用二极管整流设计占用的物理空间，效率低，增大电脑散热器的尺寸，因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
本技术针对现有技术的问题提供一种PWM驱动整流电路，设计巧妙，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制；绕组T1连接至MOS管Q11和MOS管Q12的栅极，通过自耦的方式，减少了激式驱动所需的IC，减少了设计占用的物理空间，采用MOS管代替常规的二极管整流，极大的减小了导通瞬间因二极管压降造成的损坏，提高效率的同时，还可以减小电脑散热器的尺寸。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：本技术提供的一种PWM驱动整流电路，包括PWM驱动单元与PWM驱动单元连接的同步整流单元；所述PWM驱动单元包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWMIN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的漏极与二极管D3的阳极、绕组T1初级侧的一端连接，所述电容C21的另一端与绕组T2初级侧的一端连接，所述绕组T2初级侧的另一端接地，所述绕组T2次级侧的两端分别与电容C14的一端、电阻R17的一端连接，电容C14的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端和电阻R17的另一端均与MOS管Q2的栅极连接，所述二极管D6的阳极接地，所述二极管D6的阴极与电阻R17的一端连接，所述绕组T1初级侧的另一端与MOS管Q2的源极连接；所述同步整流单元包括MOS管Q11和MOS管Q12，所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧。其中，所述PWM驱动单元还包括电阻R38、电阻R36、电阻R33和电容C20，所述电阻R38的一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的源极、电阻R38的另一端和电阻R36的一端均与电阻R33的一端连接，电阻R36的另一端接地，所述电容C20的两端分别与电阻R33的另一端和电阻R36的另一端。其中，所述同步整流单元还包括电容C26、电阻R39、电容C11、电阻R19、电容C13、电阻R21、电感L71、电感L72、二极管D5、电容C16、电容C5、电感L7、电感L5和电容C12；所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极、电容C26的一端、MOS管Q12的漏极、MOS管Q11的漏极、电容C13的一端以及电感L71的一端均与所述PWM驱动电路连接，所述电容C26的另一端与电阻R39的一端连接，所述电阻R39的另一端、MOS管Q12的源极均与MOS管Q11的源极连接，MOS管Q11的源极与电容C11的一端、二极管D5的阴极连接，电容C11的另一端与电阻R19的一端连接，所述电阻R19的另一端与二极管D5的阳极、电感L72的一端连接，所述二极管D5的阴极与电阻R21的一端连接，所述电阻R21的另一端与电容C13的另一端连接，所述电感L71的另一端与电容C16的一端、电感L5的一端和电感L7的一端连接，所述电感L5的另一端与第二同步整流电路连接，所述电容C16的另一端与电容C5的一端、二极管D5的阴极连接，所述电容C5的另一端与电感L72的另一端连接，所述电感L7的另一端与电容C12的一端连接，所述电容C12、电容C16以及电容C5连接的公端接地。本技术的有益效果：本技术设计巧妙，IC输出PWMin信号，经过开关管Q4和开关管Q5组成的推挽驱动，加强驱动能力，驱动MOS管Q2和MOS管Q3，组成双晶正激的电路，绕组T2作为隔离驱动变压器，把PWM信号分为交错导通的驱动信号，使得MOS管Q2和MOS管Q3分别在上下半周导通，绕组T1的初级电感形成了往复的高频电流回路，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，二极管D3和二极管D6分别是钳位二极管，把在开关室产生的尖峰等予以降低或消除，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制；进一步的，所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极均与所述绕组T1的次级侧连接，通过绕制在绕组T1的作用下，绕组T1连接至MOS管Q11和MOS管Q12的栅极，在上下半周分别导通，通过自耦的方式，减少了激式驱动所需的IC，减少了设计占用的物理空间，采用MOS管代替常规的二极管整流，极大的减小了导通瞬间因二极管压降造成的损坏，提高效率的同时，还可以减小电脑散热器的尺寸。附图说明图1为本技术的一种PWM驱动整流电路的电路图。图2为本技术的PWM驱动单元的电路图。图3为本技术的同步整流单元的电路图。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。以下结合附图对本技术进行详细的描述。一种PWM驱动整流电路，如图1至图3所示，包括PWM驱动单元与PWM驱动单元连接的同步整流单元；所述PWM驱动单元包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWMIN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的漏极与二极管D3的阳极、绕组T1初级侧的一端连接，所述电容C21的另一端与绕组T2初级侧的一端连接，所述绕组T2初级侧的另一端接地，所述绕组T2次级侧的两端分别与电容C14的一端、电阻R17的一端连接，电容C14的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端和电阻R17的另一端均与MOS管Q2的栅极连接，所述二极管D6的阳极接地，所述二极管D6的阴极与电阻R17的一端连接，所述绕组T1初级侧的另一端与MOS管Q2的源极连接；所述同步整流单元包括MOS管Q11和MOS管Q12，所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧。具体地，本技术实施例结构新颖，设计巧妙，所述二极管D3的阴极和MOS管Q2的漏极连接于输入电压，本技术实施例设计巧妙，IC输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PWM驱动整流电路，其特征在于：包括PWM驱动单元与PWM驱动单元连接的同步整流单元；/n所述PWM驱动单元包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWM IN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的漏极与二极管D3的阳极、绕组T1初级侧的一端连接，所述电容C21的另一端与绕组T2初级侧的一端连接，所述绕组T2初级侧的另一端接地，所述绕组T2次级侧的两端分别与电容C14的一端、电阻R17的一端连接，电容C14的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端和电阻R17的另一端均与MOS管Q2的栅极连接，所述二极管D6的阳极接地，所述二极管D6的阴极与电阻R17的一端连接，所述绕组T1初级侧的另一端与MOS管Q2的源极连接；/n所述同步整流单元包括MOS管Q11和MOS管Q12，所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧。/n...

【技术特征摘要】
1.一种PWM驱动整流电路，其特征在于：包括PWM驱动单元与PWM驱动单元连接的同步整流单元；
所述PWM驱动单元包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWMIN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的漏极与二极管D3的阳极、绕组T1初级侧的一端连接，所述电容C21的另一端与绕组T2初级侧的一端连接，所述绕组T2初级侧的另一端接地，所述绕组T2次级侧的两端分别与电容C14的一端、电阻R17的一端连接，电容C14的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端和电阻R17的另一端均与MOS管Q2的栅极连接，所述二极管D6的阳极接地，所述二极管D6的阴极与电阻R17的一端连接，所述绕组T1初级侧的另一端与MOS管Q2的源极连接；
所述同步整流单元包括MOS管Q11和MOS管Q12，所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧。


2.根据权利要求1所述的一种PWM驱动整流电路，其特征在于：所述PWM驱动单元还包括电阻R38、电阻R36、电阻R33和电容C20，所述电阻R38的一端与MOS管Q3的栅极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋旭东，许文才，张魁，
申请(专利权)人：广东迅扬科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44