一种同步整流电路制造技术

技术编号:26394625 阅读:21 留言:0更新日期:2020-11-20 00:08
本实用新型专利技术涉及电路结构技术领域,尤其是指一种同步整流电路,其包括第一同步整流单元和第二同步整流单元,所述第一同步整流单元包括绕组T1、MOS管Q11和MOS管Q12,所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧;所述第二同步整流单元包括集成IC芯片U8。本实用新型专利技术设计巧妙,减少了激式驱动所需的IC,减少了设计占用的物理空间,采用MOS管代替常规的二极管整流,极大的减小了导通瞬间因二极管压降造成的损坏,提高效率的同时,还可以减小电脑散热器的尺寸;另外,减少了封装尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种同步整流电路
本技术涉及电路结构
,尤其是指一种同步整流电路。
技术介绍
整流电路是把交流电能转换为直流电能的电路,其工作过程是将交流降压电路输出的电压较低的交流电转换成单向脉动性直流电。相关技术中,在很多常规交流输入设备中,开关电源输入整流通常采用二极管实现桥式整流,对于功率较小的电源,整流二极管上产生的损耗,对整机效率是有影响的。对于功率较大的电源,整流二极管上产生的损耗则对整机效率的影响较大,如果散热措施不够好,甚至会影响到整个产品的可靠性,另外,整流二极管导通瞬间因二极管压降容易造成损坏。因此,有必要提供一种新的整流电路解决上述技术问题。
技术实现思路
本技术针对现有技术的问题提供一种同步整流电路,设计巧妙,所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极均与所述绕组T1的次级侧连接,通过绕制在绕组T1的作用下,在上下半周分别导通,通过自耦的方式,减少了激式驱动所需的IC,减少了设计占用的物理空间,采用MOS管代替常规的二极管整流,极大的减小了导通瞬间因二极管压降造成的损坏,提高效率的同时,还可以减小电脑散热器的尺寸;另外,通过集成IC芯片U8将线路集中起来,把输出的驱动、保护等线路集成在一个集成IC芯片U8内,减少了封装尺寸。为了解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案:本技术提供的一种同步整流电路,包括第一同步整流单元和第二同步整流单元,所述第一同步整流单元包括绕组T1、MOS管Q11和MOS管Q12,所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧;所述第二同步整流单元包括集成IC芯片U8。其中,所述第一同步整流单元还包括电容C26、电阻R39、电容C11、电阻R19、电容C13、电阻R21、电感L71、电感L72、二极管D5、电容C16、电容C5、电感L7、电感L5和电容C12;所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极、电容C26的一端、MOS管Q12的漏极、MOS管Q11的漏极、电容C13的一端以及电感L71的一端均与绕组T1连接,所述电容C26的另一端与电阻R39的一端连接,所述电阻R39的另一端、MOS管Q12的源极均与MOS管Q11的源极连接,MOS管Q11的源极与电容C11的一端、二极管D5的阴极连接,电容C11的另一端与电阻R19的一端连接,所述电阻R19的另一端与二极管D5的阳极、电感L72的一端连接,所述二极管D5的阴极与电阻R21的一端连接,所述电阻R21的另一端与电容C13的另一端连接,所述电感L71的另一端与电容C16的一端、电感L5的一端和电感L7的一端连接,所述电感L5的另一端与第二同步整流单元连接,所述电容C16的另一端与电容C5的一端、二极管D5的阴极连接,所述电容C5的另一端与电感L72的另一端连接,所述电感L7的另一端与电容C12的一端连接,所述电容C12、电容C16以及电容C5连接的公端接地。其中,所述集成IC芯片U8为APW7159A。其中,所述第二同步整流单元还包括开关管Q501、开关管Q502、电感L4、二极管D501、开关管Q601、开关管Q602、电感L3、二极管D601、电阻R505、电容C501、电阻R610、电阻R607、电阻R605和电容C601,所述集成IC芯片U8的UGATE1引脚和PHASE1引脚均与开关管Q501的栅极连接,所述开关管Q501的漏极与电阻R505的一端连接,所述电阻R505的另一端与所述集成IC芯片U8的OCSET1引脚连接,所述开关管Q501的源极和所述开关管Q502的漏极均与电感L4的一端连接,所述电感L4的另一端与电阻R510的一端连接,所述电阻R510的另一端与电阻R507的一端连接,所述电阻R507的另一端接地,所述电容C501与所述电阻R505并联,所述开关管Q502的源极接地,所述开关管Q502的栅极与所述集成IC芯片U8的LGATE1引脚连接;所述集成IC芯片U8的UGATE2引脚和PHASE2引脚均与开关管Q601的栅极连接,所述集成IC芯片U8的LGATE2引脚与开关管Q602的栅极连接,所述开关管Q601的漏极与电阻R605的一端连接,所述电阻R065的另一端与所述集成IC芯片U8的OCSET2引脚连接,所述电容C601与所述电阻R605并联,所述开关管Q601的源极和所述开关管Q602的漏极均与电感L3的一端连接,所述电感L3的另一端与电阻R610的一端连接,所述电阻R610的另一端与电阻R607的一端连接,所述电阻R607的另一端接地,所述开关管Q602的源极接地,所述电阻R605的一端与所述第一同步整流单元连接。本技术的有益效果:本技术设计巧妙,所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极均与所述绕组T1的次级侧连接,通过绕制在绕组T1的作用下,绕组T1连接至MOS管Q11和MOS管Q12的栅极,在上下半周分别导通,通过自耦的方式,减少了激式驱动所需的IC,减少了设计占用的物理空间,采用MOS管代替常规的二极管整流,极大的减小了导通瞬间因二极管压降造成的损坏,提高效率的同时,还可以减小电脑散热器的尺寸;另外,通过集成IC芯片U8将线路集中起来,把输出的驱动、保护等线路集成在一个集成IC芯片U8内,减少了封装尺寸。附图说明图1为本技术的一种同步整流电路的电路图。图2为本技术的第一同步整流单元的电路图。图3为本技术的第二同步整流单元的电路图。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例与附图对本技术作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本技术的限定。以下结合附图对本技术进行详细的描述。一种同步整流电路,如图1至图3所示,包括第一同步整流单元和第二同步整流单元,所述第一同步整流单元包括绕组T1、MOS管Q11和MOS管Q12,所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧;所述第二同步整流单元包括集成IC芯片U8。具体地,本技术实施例设计巧妙,所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极均与所述绕组T1的次级侧连接,通过绕制在绕组T1的作用下,绕组T1连接至MOS管Q11和MOS管Q12的栅极,在上下半周分别导通,通过自耦的方式,减少了激式驱动所需的IC,减少了设计占用的物理空间,采用MOS管代替常规的二极管整流,极大的减小了导通瞬间因二极管压降造成的损坏,提高效率的同时,还可以减小电脑散热器的尺寸;另外,通过集成IC芯片U8将线路集中起来,把输出的驱动、保护等线路集成在一个集成IC芯片U8内,减少了封装尺寸。本实施例所述的一种同步整流电路,所述第一同步整流单元还包括电容C26、电阻R39、电容C11、电阻R19、电容C13、电阻R21、电感L71、电感L72、二极管D5、电容C16、电容C5、电感L7、电感L5和电容C12;所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极、电容C26的一端、MOS管Q12的漏极、MOS管Q11的漏极、电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同步整流电路,其特征在于:包括第一同步整流单元和第二同步整流单元,所述第一同步整流单元包括绕组T1、MOS管Q11和MOS管Q12,所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧;所述第二同步整流单元包括集成IC芯片U8。/n

【技术特征摘要】
1.一种同步整流电路,其特征在于:包括第一同步整流单元和第二同步整流单元,所述第一同步整流单元包括绕组T1、MOS管Q11和MOS管Q12,所述MOS管Q11的栅极和所述MOS管Q12的栅极分别连接于绕组T1次级侧;所述第二同步整流单元包括集成IC芯片U8。


2.根据权利要求1所述的一种同步整流电路,其特征在于:所述第一同步整流单元还包括电容C26、电阻R39、电容C11、电阻R19、电容C13、电阻R21、电感L71、电感L72、二极管D5、电容C16、电容C5、电感L7、电感L5和电容C12;所述MOS管Q11的栅极、MOS管Q12的栅极、电容C26的一端、MOS管Q12的漏极、MOS管Q11的漏极、电容C13的一端以及电感L71的一端均与绕组T1连接,所述电容C26的另一端与电阻R39的一端连接,所述电阻R39的另一端、MOS管Q12的源极均与MOS管Q11的源极连接,MOS管Q11的源极与电容C11的一端、二极管D5的阴极连接,电容C11的另一端与电阻R19的一端连接,所述电阻R19的另一端与二极管D5的阳极、电感L72的一端连接,所述二极管D5的阴极与电阻R21的一端连接,所述电阻R21的另一端与电容C13的另一端连接,所述电感L71的另一端与电容C16的一端、电感L5的一端和电感L7的一端连接,所述电感L5的另一端与第二同步整流单元连接,所述电容C16的另一端与电容C5的一端、二极管D5的阴极连接,所述电容C5的另一端与电感L72的另一端连接,所述电感L7的另一端与电容C12的一端连接,所述电容C12、电容C16以及电容C5连接的公端接地。


3.根据权利要求1所述的一种同步整流电路,其特征在于:所述集成...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋旭东许文才孙伦文
申请(专利权)人:广东迅扬科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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