一种基于热电堆的无线温度传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于热电堆的无线温度传感器，其特征在于包括基体，所述基体的上下表面分别设置有上层氮化硅和下层氮化硅，所述上层氮化硅的设置有四排多晶硅条组，四排多晶硅条组形成口字形结构，每排多晶硅条组包括并排布置的多根多晶硅条，所述上层氮化硅的表面设置有多根金属条，多根金属条将所有的多晶硅条串联，在上层氮化硅的表面设置有热阻层，热阻层的中心为矩形的空腔，在该空腔处露出矩形的上层氮化硅，该处的上层氮化硅形成基于热电堆的无线温度传感器的红外辐射区。本实用新型专利技术得到了较为稳定的介质膜支撑方案，显著提高了成品率，并且通过该工艺得到的热电堆红外探测器，其性能相对于传统的热电堆探测器得到了较为明显的提高。

【技术实现步骤摘要】
一种基于热电堆的无线温度传感器
本技术属于探测器
，涉及到热电堆红外探测器的工艺设计，通过半导体材料的塞贝克效应，将检测到的红外辐射的强度转变为电学信号加以应用。
技术介绍
红外探测器可探测红外区域的电磁波，波长范围为0.75～1000微米，有着广泛的民用和军用价值。红外热电堆探测器是利用塞贝克效应将红外辐射信号转换为电信号输出，与一般的红外探测器相比，微机械红外热堆探测器的优点在于体积小、重量轻，可以工作在室温；具有高的灵敏度和非常宽的频谱响应；与标准IC工艺兼容，成本低廉，且适合批量生产。这使得它在非接触式测温、功率计、红外报警、频谱仪、自动开关、医用气体分析仪等方面得到了广泛的应用。参见图1，热电堆红外探测器是根据塞贝克效应设计而成的，通过塞贝克系数相差较大的材料组成热电偶对，一端为热端，其塞贝克系数为αA，负责接收红外辐射能力，一端为冷端，其塞贝克系数为αB，用于制造温度差，产生电压，为了增加输出电压，通常采用多个热电偶对串联而成。因此，产生的电势差与温度的关系为：Vout＝(αA-αB)ΔT热电堆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于热电堆的无线温度传感器，其特征在于包括基体（1），基体（1）为矩形的P型硅衬底，所述基体（1）的上下表面分别设置有上层氮化硅（2）和下层氮化硅（3），所述上层氮化硅（2）的设置有四排多晶硅条组，多晶硅条组形成P型电极，四排多晶硅条组形成口字形结构，每排多晶硅条组包括并排布置的多根多晶硅条（4），所述上层氮化硅（2）的表面设置有多根金属条（5），金属条（5）形成金属电极，多根金属条（5）将所有的多晶硅条（4）串联，并且在整个芯片的一角形成金属条（5）的输入端和输出端，在上层氮化硅（2）的表面设置有热阻层（6），热阻层（6）为矩形结构，矩形结构的四边将所有的多晶硅条（4）以及金属条（5...

【技术特征摘要】
1.一种基于热电堆的无线温度传感器，其特征在于包括基体（1），基体（1）为矩形的P型硅衬底，所述基体（1）的上下表面分别设置有上层氮化硅（2）和下层氮化硅（3），所述上层氮化硅（2）的设置有四排多晶硅条组，多晶硅条组形成P型电极，四排多晶硅条组形成口字形结构，每排多晶硅条组包括并排布置的多根多晶硅条（4），所述上层氮化硅（2）的表面设置有多根金属条（5），金属条（5）形成金属电极，多根金属条（5）将所有的多晶硅条（4）串联，并且在整个芯片的一角形成金属条（5）的输入端和输出端，在上层氮化硅（2）的表面设置有热阻层（6），热阻层（6）为矩形结构，矩形结构的四边将所有的多晶硅条（4）以及金属条（5）遮盖，热阻层（6）的中心为矩形的空腔，在该空腔处露出矩形的上层氮化硅（2），该处的上层氮化硅（2）形成基于热电堆的无线温度传感器的红外辐射区（9）。


2.根据权利要求1所述的一种基于热电堆的无线温度传感器，其特征在于每根多晶硅条（4）分别与其接近的红外辐射区（9）的边缘垂直。


3.根据权利要求2所述的一种基于热电堆的无线温度传感器，其特征在于多晶硅条（4）靠近红外辐射区（9）的一端为热端，多晶硅条（4）远离红外辐射区（9）的一端为冷端，所述热阻层（6）的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张巧杏，张国珠，袁，
申请(专利权)人：无锡豪帮高科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32