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一种基于双层基片集成的漏波天线制造技术

技术编号:26383217 阅读:27 留言:0更新日期:2020-11-19 23:52
本发明专利技术公开了一种基于双层基片集成的漏波天线,包括上下两层基片,所述的基片皆为两层覆铜层中间夹有介质层的结构,上层基片包括上层表层覆铜层、上层介质层、上层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿上层基片,形成多排表面为矩形的腔体,即上层基片集成波导;下层基片包括下层表层覆铜层、下层介质层、下层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿下层基片,形成多排表面为平行四边形的腔体,即下层基片集成波导;上层底层覆铜层及下层表层覆铜层相应位置分别设有耦合槽,将上下两层基片耦合;上层表层覆铜设有多排辐射槽。本发明专利技术可以实现在更小的带宽,扫描更大的角度,同时加工容易,制作方便,非常适合通讯设备和雷达等扫描仪器的使用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于双层基片集成的漏波天线
本专利技术涉及天线
,尤其涉及一种基于双层基片集成的漏波天线。
技术介绍
在无线通讯领域,某些设备需要有改变波束方向的功能,对于漏波天线而言,通过改变频率就可以改变扫描角度。但是,对于传统的基于基片集成波导SIW(SubstrateIntegratedWaveguide)的漏波天线,需要非常大的带宽去是实现大的扫描角度。为了提高扫描角度,减少带宽,传统的基于SIW的漏波天线,通过了不同的方式去实现大的扫描角度和小的带宽,各有优缺点,例如可通过单层弯折结构实现大角度和小带宽,但是增益不高,天线体积过大。
技术实现思路
为了实现小带宽,大角度,高增益的扫描,本专利技术提供了一种基于双层基片集成的漏波天线,采用的技术方案是:一种基于双层基片集成的漏波天线,包括上下两层基片,所述的基片皆为两层覆铜层中间夹有介质层的结构,上层基片包括上层表层覆铜层、上层介质层、上层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿上层基片,形成多排表面为矩形的腔体,即上层基片集成波导;下层基片包括下层表层覆铜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于双层基片集成的漏波天线,其特征在于,包括上下两层基片,所述的基片皆为两层覆铜层中间夹有介质层的结构,上层基片包括上层表层覆铜层、上层介质层、上层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿上层基片,形成多排上表面为矩形的波导腔体,即上层基片集成波导;/n下层基片包括下层表层覆铜层、下层介质层、下层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿下层基片,形成多排上表面为平行四边形的波导腔体,即下层基片集成波导;/n上层底层覆铜层及下层表层覆铜层相应位置分别设有耦合槽,将上下两层基片耦合;/n上层表层覆铜设有多排辐射槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于双层基片集成的漏波天线,其特征在于,包括上下两层基片,所述的基片皆为两层覆铜层中间夹有介质层的结构,上层基片包括上层表层覆铜层、上层介质层、上层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿上层基片,形成多排上表面为矩形的波导腔体,即上层基片集成波导;
下层基片包括下层表层覆铜层、下层介质层、下层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿下层基片,形成多排上表面为平行四边形的波导腔体,即下层基片集成波导;
上层底层覆铜层及下层表层覆铜层相应位置分别设有耦合槽,将上下两层基片耦合;
上层表层覆铜设有多排辐射槽。


2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:何赛灵骆鹏何旺刘辉
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江;33

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