一种紧凑型波导混合合成网络制造技术

技术编号:26383165 阅读:17 留言:0更新日期:2020-11-19 23:52
一种紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,包括集成于一体的:波导H‑T结;魔T,有一对,对称连接于波导H‑T结的分支输入端;以及波导E‑T结,有两对,分别对称连接于魔T的分支输入端。具体包括:H臂输出波导、H臂输出渐变波导、H臂匹配结构、H臂分支渐变波导、T型分支转向波导、魔T分支渐变波导、魔T四端口匹配结构、魔T负载端口渐变波导、探针结构、魔T分支转向波导、E臂匹配结构、E臂输入波导及装配腔体。将魔T集成于波导H‑T结和波导E‑T结之间,波导H‑T结采用标准波导口,波导E‑T结采用非标波导口,实现多路非标波导口输入、标准波导口输出,插入损耗低、工作带宽宽、幅相平衡度好,体积减小,且方便加工实用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种紧凑型波导混合合成网络
本专利技术属于通信领域,涉及波导合成/微波功分技术,尤其与一种紧凑型波导混合合成网络有关。
技术介绍
波导合成是微波系统中广泛应用的一种功率合成手段,其功能是将多路功率进行功率合成,以获得更大的功率。合成网络的性能如插损、隔离度、相位平衡度和幅度平衡度等指标将对整个系统的性能产生较大的影响。常规的T型结为三端口网络,级间无隔离,在进行功率合成时,级间影响较大;尤其是在需要实现多路波导输入进行功率合成时,多都存在损耗大,幅相平衡度不理想等缺陷;并且现有的方式,要实现多路输入,结构复杂体积庞大,且不便于加工成型,适用性极大降低。
技术实现思路
为解决上述相关现有技术不足,本专利技术提供一种紧凑型波导混合合成网络,将魔T集成于波导H-T结和波导E-T结之间,波导H-T结采用标准波导口,波导E-T结采用非标波导口,实现多路非标波导口输入、标准波导口输出,插入损耗低、工作带宽宽、幅相平衡度好,体积减小,且方便加工实用性强。为了实现本专利技术的目的,拟采用以下方案:一种紧凑型波导混合合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,包括集成于一体的:/n波导H-T结;/n魔T,有一对,对称连接于波导H-T结的分支输入端;以及/n波导E-T结,有两对,分别对称连接于魔T的分支输入端。/n

【技术特征摘要】
1.一种紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,包括集成于一体的:
波导H-T结;
魔T,有一对,对称连接于波导H-T结的分支输入端;以及
波导E-T结,有两对,分别对称连接于魔T的分支输入端。


2.根据权利要求1所述的紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,波导E-T结的输入端采用非标波导口,波导H-T结的输出端采用标准波导口。


3.根据权利要求1所述的紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,波导E-T结,包括:
对称间隔设置的一对E臂输入波导(12),其E面采用非标波导端口,用于作为射频信号输入端;以及
E臂隔片结构(11),设于一对E臂输入波导(12)之间,用于对从E臂输入波导(12)输入的射频信号进行第一次功率合成。


4.根据权利要求3所述的紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,魔T,包括:
魔T分支转向波导(10),有一对,对称设置,其一端连接E臂隔片结构(11),用于通过阶梯过度方式对E臂隔片结构(11)合成的射频信号进行90°转向,用于使进入魔T的射频信号分支在同一方向;
魔T分支渐变波导(6),有一对,对称设置,分别与对应的魔T分支转向波导(10)另一端连接,用于增加工作带宽;以及
魔T四端口匹配结构(7),一对魔T分支渐变波导(6)对称连接于魔T四端口匹配结构(7)两侧,用于与魔T分支渐变波导(6)一起匹配T型耦合腔内的信号功率分配比、隔离度以进行第二次功率合成。


5.根据权利要求4所述的紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,魔T四端口匹配结构(7)图中阴影部分采用阶梯方柱结构,顶面朝向E面的端口所在方向,底面位于E面的端口反方向,阶梯方柱边长自底面向顶面依次缩小。


6.根据权利要求4所述的紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,魔T四端口匹配结构(7)上竖向垂直设置有负载模块,用于吸收多路不平衡功率;负载模块朝向E面的端口所在方向的一面设有魔T负载端口渐变波导(8),用于匹配负载端口的驻波。


7.根据权利要求6所述的紧凑型波导混合合成网络,其特征在于,负载模块朝向另一个魔T的一面设有探针结构(9),探针结构(9)包括:
探针基片...

【专利技术属性】
技术研发人员:商桂川宋垚
申请(专利权)人:四川斯艾普电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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