光电转换器件和有机传感器以及电子装置制造方法及图纸

提供了光电转换器件、有机传感器和电子装置。一种光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的有机光电转换层、以及在第一电极与有机光电转换层之间的电荷辅助层。有机光电转换层被配置为吸收入射光的波长谱的至少一部分中的光并将所吸收的光转换成电信号。电荷辅助层包括金属和氧化物。该氧化物可以是排除硅氧化物的氧化物材料使得电荷辅助层不包括硅氧化物。

【技术实现步骤摘要】
光电转换器件和有机传感器以及电子装置
公开了光电转换器件、有机传感器和电子装置。
技术介绍
光电转换器件可以接收入射光并将接收到的入射光转换成电信号。光电转换器件可以包括光电二极管和光电晶体管，并且可以应用于有机传感器、光电检测器、太阳能电池等。有机传感器可以具有较高的分辨率，因而可以具有较小的像素尺寸。有机传感器可以包括硅光电二极管。基于有机传感器的减小的像素尺寸和硅光电二极管的减小的吸收面积，有机传感器中的硅光电二极管的灵敏度可能劣化。因此，已经研究了能够代替有机传感器的光电二极管中的硅的有机材料。有机材料具有高的消光系数并被配置为取决于有机材料的分子结构而选择性地吸收光的特定波长谱中的光，因而可以同时代替有机传感器的光电二极管和滤色器，结果提高有机传感器的灵敏度并有助于有机传感器的高集成。然而，因为这样的有机材料由于高的结合能而表现出与硅的特性不同的特性并表现出与这样的有机材料相关联的复合行为，所以难以精确地预测有机材料的特性，因而无法容易地控制光电转换器件的所需性质。专利技术内容一些示例实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换器件，包括：/n彼此面对的第一电极和第二电极，/n有机光电转换层，在所述第一电极与所述第二电极之间，所述有机光电转换层被配置为吸收入射光的波长谱的至少一部分中的光并且将所吸收的光转换成电信号，以及/n电荷辅助层，在所述第一电极与所述有机光电转换层之间，所述电荷辅助层包括金属和氧化物，所述氧化物是排除硅氧化物的氧化物材料。/n

【技术特征摘要】
20190517 KR 10-2019-00582361.一种光电转换器件，包括：
彼此面对的第一电极和第二电极，
有机光电转换层，在所述第一电极与所述第二电极之间，所述有机光电转换层被配置为吸收入射光的波长谱的至少一部分中的光并且将所吸收的光转换成电信号，以及
电荷辅助层，在所述第一电极与所述有机光电转换层之间，所述电荷辅助层包括金属和氧化物，所述氧化物是排除硅氧化物的氧化物材料。


2.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述金属包括镧系元素、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、其合金、或其组合。


3.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中所述镧系元素包括镱(Yb)。


4.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述氧化物具有4.5eV至7.5eV的能带隙。


5.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述氧化物包括锗氧化物、铝氧化物、镓氧化物、硒氧化物、锶氧化物、镧氧化物、钕氧化物、钆氧化物、镱氧化物、镥氧化物、或其组合。


6.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述电荷辅助层包括所述金属和所述氧化物的混合物。


7.根据权利要求6所述的光电转换器件，其中所述电荷辅助层中的所述氧化物的总量大于所述电荷辅助层中的所述金属的总量。


8.根据权利要求7所述的光电转换器件，其中所述电荷辅助层中的所述金属的所述总量与所述电荷辅助层中的所述氧化物的所述总量之比为1:2至1:5的重量比。


9.根据权利要求6所述的光电转换器件，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许哲准，朴敬培，朴性俊，尹晟荣，李启滉，白铁，申智琇，陈勇完，洪慧林，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR