一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该方法包括提供一临时衬底；在临时衬底上形成预定厚度的第一外延层，第一外延层与临时衬底接触的面作为外延层的背面；在预定厚度的第一外延层上形成对准标志；在第一外延层上形成第二外延层，第二外延层覆盖第一外延层和对准标志；利用对准标志，在外延层的背面进行图形对准，在外延层的背面形成集电区。上述方法省去了在晶圆正面设置光学玻璃板的过程，由此减少了整体制造成本。入射光自外延层的背面入射，进行背面工艺中掩膜板的对准，对准精确度高。并且无需对曝光工具等设备进行任何改进，省去了设备改进的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT,InsulatedGateBipolarTransistor)因为具有MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)的栅极电压控制晶体管，同时又利用了BJT(BipolarJunctionTransistor)的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的，而具有驱动功率小、饱和压降地的特点，因此也广受人们的青睐。随着IGBT技术的不断发展，研究出一种新型的IGBT——逆导型/反向传导绝缘栅晶体管(RC-IGBT,Reverse-ConductingInsulatedGateBipolarTransistor)。RC-IGBT基于薄片工艺绝缘栅双极型晶体管与续流二极管的集成，能够取代传统的IGBT与二极管对。具有正向和逆向导通特性。同常规IGBT模块相比，RC-IGBT降低了封装成本、提高了芯片的集成度。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管制备方法，包括以下步骤：/n提供一临时衬底；/n在所述临时衬底上形成预定厚度的第一外延层，所述第一外延层与所述临时衬底接触的面作为所述第一外延层的背面；/n在预定厚度的所述第一外延层上形成对准标志；/n在所述第一外延层上方形成第二外延层，所述第二外延层覆盖所述第一外延层和所述对准标志；/n利用所述对准标志，在所述第一外延层的所述背面进行图形对准，在所述第一外延层的背面形成集电区。/n

【技术特征摘要】
1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管制备方法，包括以下步骤：
提供一临时衬底；
在所述临时衬底上形成预定厚度的第一外延层，所述第一外延层与所述临时衬底接触的面作为所述第一外延层的背面；
在预定厚度的所述第一外延层上形成对准标志；
在所述第一外延层上方形成第二外延层，所述第二外延层覆盖所述第一外延层和所述对准标志；
利用所述对准标志，在所述第一外延层的所述背面进行图形对准，在所述第一外延层的背面形成集电区。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述临时衬底上形成预定厚度的所述第一外延层包括在所述临时衬底上沉积掺杂外延层。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在预定厚度的所述第一外延层上形成对准标志包括以下步骤：
在预定厚度的所述第一外延层上沉积电介质层；
在所述电介质层上方形成图形化的光刻胶层；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述电介质层，形成所述对准标志。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用所述对准标志，在所述第一外延层的所述背面进行图形对准，在所述第一外延层的背面形成集电区之前还包括以下步骤：
将所述临时衬底及形在所述临时衬底上的所述第一外延层进行翻转，使所述第二外延层朝下；
去除所述临时衬底，暴露出所述第一外延层的所述背面；
在所述第一外延层的所述背面进行图形对准，形成所述集电区。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第一外延层的所述背面进行图形对准，形成所述集电区包括以下步骤：
在所述第一外延层的所述背面形成第一掩模层，利用所述对准标志对准所示第一掩模层；
利用所述第一掩模层在所述背面形成所述集电区的第一导电类型掺杂区；
在形成了所述第一导电类型掺杂区的所述背面形成第二掩模层，再次利用所述对准标志对准所述第二掩模层；
利用所述第二掩模层，在所述背面形成所述集电区的第二导线类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区与所述第二导电类型掺杂区交替分布。


6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏得阳，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37