内置电容EVT组件的绝缘子及其加工方法技术

本发明专利技术涉及一种内置电容EVT组件的绝缘子及其加工方法，EVT上下两端增加了均压罩，防止电场不均匀，为了防止绝缘子受外力时应力不均影响EVT器件精度，在均压罩内又添加了硅橡胶密封圈，均压罩开孔，通过沉头螺钉和EVT接地端嵌件、拧接在一起，实现电连接，绝缘子接地嵌件可以通过垂直导线线焊接在均压罩上，简化了工艺。均压罩孔内设置小密封圈，防止浇铸时环氧进入。沉头螺钉拧入高低压嵌件内的头部增加密封圈，减缓高低压嵌件处的应力。EVT信号嵌件通过Z形软导线和绝缘子内信号嵌件焊接在一起，采用软导线易于在模具中安装生产且不易受应力干扰，保证信号传输精度。采用该方法浇铸的内置高精密EVT组件的绝缘子耐受外力干扰能力强，性能可靠。

【技术实现步骤摘要】
内置电容EVT组件的绝缘子及其加工方法
本专利技术涉及电力设备状态在线监测
，尤其涉及一种内置电容EVT组件的绝缘子及其加工方法。
技术介绍
泛在电力物联网是落实国家电网“三型两网、世界一流”战略目标的核心任务，要求输配电设备能够实现运行状态全面感知，业务全穿透。这就要求一二次设备进行深度融合，将二次测量用的高精度EVT浇铸于传统一次设备中，全面实实监控一次设备运行状况。由电容分压原理设计的EVT组件精度受到多种因素制约，如应力集中、电场分布不均匀等，把EVT浇铸进一次设备中如何保证精度成为需要解决的难题。
技术实现思路
为了解决EVT组件浇铸过程中容易产生的应力集中，电场分布不均等影响测量精度的问题，本专利技术提供一种内置电容EVT组件的绝缘子及其加工方法，在EVT浇铸过程中，EVT上下两端增加了均压罩，防止电场不均匀，为了防止绝缘子受外力时应力不均影响EVT器件精度，在均压罩内又添加了硅橡胶密封圈，均压罩开孔，通过沉头螺钉和EVT高压端、接地端螺纹嵌件拧接在一起，实现电连接，均压罩孔内设置小密封圈，防止浇铸时环氧进入。为达到上述目的，本专利技术提供了一种内置电容EVT组件的绝缘子，包含电容EVT组件、绝缘子、两个均压罩以及两个密封圈；所述电容EVT组件浇铸于绝缘子中；两个所述均压罩分别加盖在所述电容EVT组件的上下两端，所述均压罩内部设置密封圈与所述电容EVT组件的连接。进一步地，还包括EVT高压螺纹嵌件设置在所述电容EVT组件的高压端端部，高压端均压罩设置开孔，开孔内设置密封圈，沉头螺钉穿过所述开孔旋入所述EVT高压螺纹嵌件，使得均压罩固定至所述电容EVT组件的高压端并与所述电容EVT组件等电位电气连接。进一步地，还包括EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件设置在所述电容EVT组件的低压端端部；通过沉头螺钉穿过低压端均压罩的一个开孔旋入EVT接地端螺纹嵌件；低压及接地端均压罩的两个开孔内设置密封圈，与EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件的端部形成密封面，防止浇铸过程浇筑材料进入所述电容EVT组件。进一步地，还包括绝缘子高压端嵌件和绝缘子接地端嵌件，分别嵌入在所述绝缘子的两端的开口内；所述绝缘子高压端嵌件通过直软连接线焊接在高压端均压罩上；所述绝缘子接地端嵌件通过垂直导线焊接在低压及接地端均压罩上。进一步地，还包括信号嵌件，嵌入所述绝缘子的高压端，通过Z形软导线连接至所述EVT信号端嵌件。进一步地，所述沉头螺钉前端设置密封圈，缓解EVT高压螺纹嵌件、EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件连接处的应力。进一步地，所述绝缘子为环氧树脂绝缘子，采用环氧树脂浇筑获得。本专利技术另一方面提供一种内置电容EVT组件的绝缘子的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备电容EVT组件；(2)在所述电容EVT组件的高压端中部安装高压螺纹嵌件；在所述电容EVT组件的低压端对称安装EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件；(3)在所述电容EVT组件的两端分别套设密封圈，并加盖均压罩，使得密封圈位于均压罩内侧面；(4)高压端均压罩中部设置开孔，开孔内设置密封圈，沉头螺钉穿过所述开孔旋入所述EVT高压螺纹嵌件，使得均压罩固定至所述电容EVT组件的高压端；低压及接地端均压罩设置对称两个开孔，开孔内部设置密封圈，通过密封圈连接至EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件，通过沉头螺钉穿过低压及接地端均压罩的一个开孔旋入EVT接地端螺纹嵌件；(5)将信号嵌件通过Z形软导线连接至所述EVT信号端嵌件；所述绝缘子高压端嵌件通过直软连接线焊接在高压端均压罩上；所述绝缘子接地端嵌件通过垂直导线焊接在低压端均压罩上；(6)将电容EVT组件放入浇筑模具内，浇筑成型。进一步地，浇筑成型包括：6.1对浇注材料进行高温及真空预处理，脱气脱水；6.2进行混料，使环氧树脂、填料、固化剂混合均匀；6.3将电容EVT组件放入浇筑模具内，定位所述绝缘子高压端嵌件、所述绝缘子接地端嵌件以及所述信号嵌件；6.4将浇筑模具放进真空浇注罐内预热，浇筑模具温度高于混合料温度，真空浇注罐维持一定的真空度和温度，将混料浇入浇筑模具内，浇注完继续抽真空一段时间，去除浇注件内气泡；6.5在低于环氧树脂的玻璃化温度下进行固化6.6在低于80°下进行脱模。本专利技术的上述技术方案具有如下有益的技术效果：(1)本专利技术在EVT浇铸过程中，EVT上下两端增加了均压罩，防止电场不均匀，为了防止绝缘子受外力时应力不均影响EVT器件精度，在均压罩内又添加了硅橡胶密封圈，均压罩开孔，通过沉头螺钉和EVT高压端、接地端螺纹嵌件拧接在一起，实现电连接。(2)本专利技术通过沉头螺钉和EVT高压端、接地端螺纹嵌件拧接在一起，实现电连接，绝缘子嵌件可以通过直软导线和均压罩焊接在一起，相较通过异性导线拧接在螺纹嵌件中，工艺简洁且安装更牢靠。(3)本专利技术的均压罩上所有的开孔内都开有密封槽，装有密封圈，螺钉插进去后形成密封面，仿真浇铸过程环氧进入均压罩内。螺钉前端也装有密封圈，拧入EVT嵌件内后，可以靠该密封圈缓解EVT嵌件处的应力。(4)本专利技术EVT低压端嵌件通过Z形软导线和绝缘子内信号嵌件焊接在一起，采用软导线易于在模具中安装生产且不易受应力干扰，保证信号传输精度。附图说明图1是本专利技术内置电容EVT组件的绝缘子的结构示意图；其中，1-绝缘子高压端嵌件，2-绝缘子，3-沉头螺钉，4-均压罩，5-大密封圈，6-EVT组件，7-EVT接地端嵌件，8-小密封圈1，9-中密封圈，10-小密封圈2，11-直软连接线，12-垂直导线，13-EVT信号端嵌件，14-Z形软连接线，15-信号嵌件，16-绝缘子接地端嵌件，17-EVT高压端螺纹嵌件。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。本专利技术中内置电容EVT组件的绝缘子一个实施例，如图1所示，EVT组件6浇铸于绝缘子2中，具体的，在EVT组件上下端添加大密封圈5，密封圈外侧加盖均压罩4，如图1，均压罩为圆形套筒，套设在EVT组件的两端。均压罩上有开孔，沉头螺钉穿过该孔拧到EVT高压端螺纹嵌件17中，实现了EVT高压螺纹嵌件17和均压罩4的电气连接，等电位，屏蔽了EVT高压端嵌件附近电场集中问题。绝缘子受到剪切外力时，变形量由大密封圈5吸收，解决了应力集中问题。确保了运行过程中EVT精度不受影响。EVT的嵌件和绝缘子嵌件的中心不在一条线上，若直接通过导线将二者连接，导线将成异形，工艺复杂，把EVT嵌件先和均压罩连接在一起，绝缘子接地嵌件16可以通过垂直导线12焊接在均压罩4上，简化了工艺。绝缘子高压端1通过直软连接线11焊接于均压罩4上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内置电容EVT组件的绝缘子，其特征在于，包含电容EVT组件、绝缘子、两个均压罩以及两个密封圈；/n所述电容EVT组件浇铸于绝缘子中；/n两个所述均压罩分别加盖在所述电容EVT组件的上下两端，所述均压罩内部设置密封圈与所述电容EVT组件的连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种内置电容EVT组件的绝缘子，其特征在于，包含电容EVT组件、绝缘子、两个均压罩以及两个密封圈；
所述电容EVT组件浇铸于绝缘子中；
两个所述均压罩分别加盖在所述电容EVT组件的上下两端，所述均压罩内部设置密封圈与所述电容EVT组件的连接。


2.根据权利要求1所述的内置电容EVT组件的绝缘子，其特征在于，还包括EVT高压螺纹嵌件设置在所述电容EVT组件的高压端端部，高压端均压罩设置开孔，开孔内设置密封圈，沉头螺钉穿过所述开孔旋入所述EVT高压螺纹嵌件，使得均压罩固定至所述电容EVT组件的高压端并与所述电容EVT组件等电位电气连接。


3.根据权利要求2所述的内置电容EVT组件的绝缘子，其特征在于，还包括EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件设置在所述电容EVT组件的低压端端部；通过沉头螺钉穿过低压端均压罩的一个开孔旋入EVT接地端螺纹嵌件；低压及接地端均压罩的两个开孔内设置密封圈，与EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件的端部形成密封面，防止浇铸过程浇筑材料进入所述电容EVT组件。


4.根据权利要求3所述的内置电容EVT组件的绝缘子，其特征在于，还包括绝缘子高压端嵌件和绝缘子接地端嵌件，分别嵌入在所述绝缘子的两端的开口内；所述绝缘子高压端嵌件通过直软连接线焊接在高压端均压罩上；所述绝缘子接地端嵌件通过垂直导线焊接在低压及接地端均压罩上。


5.根据权利要求4所述的内置电容EVT组件的绝缘子，其特征在于，还包括信号嵌件，嵌入所述绝缘子的高压端，通过Z形软导线连接至所述EVT信号端嵌件。


6.根据权利要求5所述的内置电容EVT组件的绝缘子，其特征在于，所述沉头螺钉前端设置密封圈，缓解EVT高压螺纹嵌件、EVT信号端嵌件和EVT接地端嵌件连接处的应力。


7....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小钊，张文凯，李俊豪，郑晓果，李猛，翟贺鹏，董囧，遵明伟，
申请(专利权)人：许继集团有限公司，许昌许继软件技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41