【技术实现步骤摘要】
高分子分散型液晶元件和高分子分散型液晶元件用液晶组合物
本专利技术涉及液晶元件以及使用其的包含窗、天窗、屋顶、墙壁、隔板、间隔板、门扇等建筑用调光元件、门扇、窗、门、头盔、遮阳顶棚等运输用调光元件、太阳镜、眼镜、遮阳帽、钟表、镜子、反射板等装饰用调光元件、柔性液晶显示元件、反射型液晶显示元件、透明液晶显示元件、可变式扩散膜等显示器用构件等在内的物品。
技术介绍
伴随着显示器的高性能化,期待实现表现力高的智能电话、平板设备等移动设备显示器、期待在TV、窗口显示器等中应用的透明显示器、对比度比高的液晶显示器、能够实现所期望的透过-散射程度的调光的具有光闸功能的调光元件等,开发用于实现这些元件的调光材料成为重要的课题。调光元件用材料中,作为透过-散射型的调光元件用材料,使用了高分子分散型液晶(Polymer-DispersedLiquidCrystal,PDLC)的高分子分散型液晶显示元件(PD-LCD)是元件中液晶与高分子相互发生相分离并形成有高分子聚合物网络的液晶元件方式。PD-LCD由于是利用透明状态与白浊状 ...
【技术保护点】
1.一种高分子分散型液晶元件,其具有一对基板、以及夹持于所述一对基板间且包含形成聚合物网络的聚合物的液晶层,/n所述液晶层含有1种或2种以上的具有以下的K
【技术特征摘要】
20190516 JP 2019-0928731.一种高分子分散型液晶元件,其具有一对基板、以及夹持于所述一对基板间且包含形成聚合物网络的聚合物的液晶层,
所述液晶层含有1种或2种以上的具有以下的Ki1所表示的部分结构的自发取向剂,
Ki1表示碳原子数3~40的直链或分支的烷基、卤代烷基或氰化烷基,这些烷基中的至少2个以上仲碳原子被-C(=Xi1)-和/或-(CH-CN)-取代,另外,该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-C(=CH2)-、-C(=CHRi3)-、-C(=CRi32)-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代,另外,这些烷基中的氢原子可被Pi1-Spi1-取代,Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRi3,Ri3表示碳原子数1~20的直链或分支的烷基,该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代,另外,可具有至少1个以上的Pi1-Spi1-,
或者,Ki1表示以下的通式(T-8)至(T-17)所表示的基团,
[化1]
式中,黑点表示连接键,
XK1和YK1分别独立地表示-CH2-、氧原子或硫原子,
ZK1分别独立地表示氧原子或硫原子,
WK1、UK1、VK1和SK1分别独立地表示次甲基或氮原子,这里,通式(T-8)至(T-17)所表示的基团中的氢原子可被Pi1-Spi1-取代,
Pi1表示聚合性基,
Spi1表示间隔基或单键,
Pi1、Spi1、Xi1、Ri3存在多个时,它们可以相同也可以不同。
2.根据权利要求1所述的液晶元件,所述自发取向剂由通式(i)表示,
[化2]
式中,Ki1表示与权利要求1中所述的Ki1相同的含义,
Ri1表示碳原子数1~40的直链或分支的烷基或卤代烷基,这些基团中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代,
Ai1、Ai2和Ai3分别独立地表示2价芳香族基、2价环式脂肪族基或2价杂环式化合物基,Ai1中的氢原子可被Li1取代,Ai2和Ai3中的氢原子可被Li1、Pi2-Spi2-或Ki1取代,
Li1表示卤原子、氰基、硝基、碳原子数1~40的直链或分支的烷基、卤代烷基,该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代,
Pi2表示聚合性基,
Spi2表示间隔基或单键,
Zi1、Zi2和Zi3分别独立地表示单键、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)=CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-或碳原子数2~20的亚烷基,该亚烷基中的1个或不邻接的2个以上-CH2-可被-O-、-COO-或-OCO-取代,
mi1表示0~3的整数,通式(i)中Ri1、Ai2、Zi2、Li1、Ki1、Xi1、Pi2和Spi2存在多个时,它们可以相同也可以不同。
3.根据权利要求1或2所述的液晶元件,Ki1表示选自通式(K-1)的基团,[化3]
式中,Yi1表示碳原子数3~20的直链或分支的烷基、卤代烷基或氰化烷基,这些烷基中的至少2个以上仲碳原子被-(C=Xi1)-和/或-(CH-CN)-取代,另外,该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代,Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRil,
Si1和Si3分别独立地表示碳原子数1~6的亚烷基或单键,该亚烷基中的-CH2-可以以氧原子不直接邻接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-C(=CH2)-、-C(=CHRi3)-、-C(=CRi32)-、-O-、-NH-、-C=O-、-COO-或-OCO-取代,
Si2表示碳原子、氮原子或硅原子,
Ri2表示氢原子、碳原子数1~20的直链或分支的烷基,这些基团中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-CH=...
【专利技术属性】
技术研发人员:野中祐贵,中田秀俊,桑名康弘,井之上雄一,木村正臣,
申请(专利权)人:DIC株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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