一种夹层式离子束能谱分析器制造技术

本发明专利技术公开了一种夹层式离子束能谱分析器，包括若干个绝缘体和金属膜片，所述绝缘体与金属膜片的形状与大小相同且平行设置，所述绝缘体与金属膜片交替紧邻排布形成夹层式结构，且夹层式结构最外两侧为绝缘体膜片；所述夹层式结构的绝缘体膜片侧设有入射端；每个金属膜片均连接有电流探测器；所述夹层式离子束能谱分析器的入射端射入从等离子体损失的各能量段带电粒子，该粒子经过某个金属膜片时，能量小于阈值的粒子将滞留在金属膜片中，通过金属膜片与地之间组成的电路输出电流，并输入其对应的电流探测器，各个电流探测器测量其对应的电流值。本发明专利技术结构简单，绝缘体和金属膜片易于制备，更换方便，与现有技术的电磁及光谱测量相比成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种夹层式离子束能谱分析器
本专利技术涉及离子束能谱分析器
，具体涉及一种夹层式离子束能谱分析器。
技术介绍
在工业和物理实验中，对离子源引出束中的离子能谱，放射源产生的带电粒子能谱，以及磁约束聚变等离子体中离子能谱的测量，主要利用不同能量的带电粒子在电场和磁场中偏转轨道半径不同的原理在静电分析器和磁分析器中进行测量。H或者D粒子还可以运用不同能量的引出粒子的特征光谱(Ha或者Da)的多普勒效应(DopplerEffect)进行测量。静电分析器和磁分析器具有复杂、精密的空间结构，并且对放置在真空室中的电路和电磁铁线圈等系统的放气率要求很高，探测器更换不方便，且需要复杂的标定，造价很高。对于高能量的带电粒子，静电分析器不适于进行分析，而磁分析器需要大面积的强偏转磁场，制造工艺复杂且成本很高。利用引出束中H或者D粒子的特征光谱的多普勒效应进行测量的光谱仪造价昂贵，且需要精心护理。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有关于高能量离子束的电磁测量及光谱测量器具有复杂、精密的空间结构，需要复杂的标定，制造工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种夹层式离子束能谱分析器，其特征在于，所述夹层式离子束能谱分析器包括若干个绝缘体膜片和金属膜片，所述绝缘体膜片与金属膜片的形状与大小尺寸相同且平行设置，所述绝缘体膜片与金属膜片交替紧邻排布形成夹层式结构，且所述夹层式结构最外两侧为绝缘体膜片；所述夹层式结构的绝缘体膜片侧设有入射端；每个所述金属膜片均连接有电流探测器；所述电流探测器接地；/n所述夹层式离子束能谱分析器的入射端射入等离子体损失后的各能量段带电粒子，所述各能量段带电粒子依次穿过所述绝缘体膜片与金属膜片，在经过第i个金属膜片时，能量小于E

【技术特征摘要】
1.一种夹层式离子束能谱分析器，其特征在于，所述夹层式离子束能谱分析器包括若干个绝缘体膜片和金属膜片，所述绝缘体膜片与金属膜片的形状与大小尺寸相同且平行设置，所述绝缘体膜片与金属膜片交替紧邻排布形成夹层式结构，且所述夹层式结构最外两侧为绝缘体膜片；所述夹层式结构的绝缘体膜片侧设有入射端；每个所述金属膜片均连接有电流探测器；所述电流探测器接地；
所述夹层式离子束能谱分析器的入射端射入等离子体损失后的各能量段带电粒子，所述各能量段带电粒子依次穿过所述绝缘体膜片与金属膜片，在经过第i个金属膜片时，能量小于Ei的带电粒子将滞留在该金属膜片中，通过金属膜片与地之间组成的电路输出电流Ii，并输入其对应的电流探测器，各个电流探测器测量其对应的电流值，通过电流与带电粒子所携带的电荷(q)的关系式Ii∝niq即可得到能量段为Ei的离子密度(ni)，对计算出的每一个能量段的离子密度的排布进行拟合，得到高能量粒子的分布函数f(E)。


2.根据权利要求1所述的一种夹层式离子束能谱分析器，其特征在于，所述夹层式离子束能谱分析器的夹层式结构包括第一绝缘体膜片(4)、第一金属膜片(1)、第二绝缘体膜片(5)、第二金属膜片(2)、第三绝缘体膜片(6)、第三金属膜片(3)、第四绝缘体膜片(13)，第一金属膜片(1)连接第一电流探...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，于利明，李永高，高金明，刘亮，石中兵，卢杰，
申请(专利权)人：核工业西南物理研究院，
类型：发明
国别省市：四川;51