一种星载中能电子探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种中能电子探测器，所述探测器包括：机箱、设置在机箱外上表面的准直器和设置在机箱内的传感器系统和电子学系统；所述准直器，用于使空间粒子入射至限定探测视场范围；所述传感器系统，用于对探测能量范围以外的空间粒子进行剔除，将中能电子的电荷信号输出至电子学系统；所述探测能量范围为20KeV～600KeV；所述电子学系统，用于对传感器系统输出的电荷信号进行处理，输出具有一定宽度的脉冲信号，并输出用于启动脉冲信号采集的触发信号。本发明专利技术的探测器能够实现20KeV能量下限的中能电子测量；并具有体积小、功耗低、多方向探测，节省资源、安装位置灵活的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种星载中能电子探测器
本专利技术涉及航空航天领域，具体涉及一种星载中能电子探测器。
技术介绍
中能电子探测器(能量范围20KeV～400KeV)由于被测粒子在传感器中的沉积能量低，且在轨易受中能质子的干扰，实现难度较大。目前国内的同类载荷主要是高能粒子探测器，包括高能质子、电子、重离子探测器等，高能质子、重离子探测能段在5MeV以上，高能电子的探测范围一般大于200KeV，该类探测器在多颗卫星上搭载过；另外我国在导航卫星实验星上搭载过中能电子探测器，受限于前端的传感器信号处理芯片，测量下限为50KeV,通道之间存在相互干扰，此外，中能质子的干扰也是一个严重的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述技术缺陷，提出了一种中能质子探测器，通过优化传感器信号处理电路，探测下限达到20KeV；通过设计传感器挡光层和传感器逻辑工作方式，可以排除中能质子的干扰；通过优化探测器结构，实现了仪器的小型化。为实现上述目的，本专利技术提出了一种中能电子探测器，所述探测器包括：机箱、设置在机箱外上表面的准直器和设置在机箱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中能电子探测器，其特征在于，所述探测器包括：机箱、设置在机箱外上表面的准直器和设置在机箱内的传感器系统和电子学系统；/n所述准直器，用于使空间粒子入射至限定探测视场范围；/n所述传感器系统，用于对探测能量范围以外的空间粒子进行剔除，将中能电子的电荷信号输出至电子学系统；所述探测能量范围为20KeV～600KeV；/n所述电子学系统，用于对传感器系统输出的电荷信号进行处理，输出具有一定宽度的脉冲信号，并输出用于启动脉冲信号采集的触发信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种中能电子探测器，其特征在于，所述探测器包括：机箱、设置在机箱外上表面的准直器和设置在机箱内的传感器系统和电子学系统；
所述准直器，用于使空间粒子入射至限定探测视场范围；
所述传感器系统，用于对探测能量范围以外的空间粒子进行剔除，将中能电子的电荷信号输出至电子学系统；所述探测能量范围为20KeV～600KeV；
所述电子学系统，用于对传感器系统输出的电荷信号进行处理，输出具有一定宽度的脉冲信号，并输出用于启动脉冲信号采集的触发信号。


2.根据权利要求1所述的中能电子探测器，其特征在于，所述传感器系统包括：屏蔽罩(2)以及设置在其内的从下至上的传感器装配体(3)、传感器遮挡装配体(4)和屏蔽罩盖板(5)，屏蔽罩(2)使用屏蔽罩侧板(1)进行封装；
所述传感器装配体(3)包括：传感器屏蔽盒(12)和设置在其内的从下至上的传感器托架(11)、传感器组件和传感器挡光层组件(8)；其中，传感器组件包括六片传感器；所述传感器挡光层组件(8)包括三片挡光片。


3.根据权利要求2所述的中能电子探测器，其特征在于，在所述屏蔽罩盖板(5)上设置屏蔽罩绝缘垫(6)。


4.根据权利要求2所述的中能电子探测器，其特征在于，所述传感器为离子注入型半导体传感器，六片传感器分为三组，每组包括上下各两片传感器，实现20°×20°的探测视场，所述传感器组件的视场为20°×60°。


5.根据权利要求4所述的中能电子探测器，其特征在于，每组的两片传感器中，一片传感器作为脉冲幅度分析器用于能档的划分，另一片传感器用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张焕新，张珅毅，沈国红，脱长生，荆涛，孙越强，朱光武，程立辉，权子达，苏波，孟强强，
申请(专利权)人：中国科学院国家空间科学中心，
类型：发明
国别省市：北京;11