一种热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法技术

本发明专利技术提供一种热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法，具体包括以下步骤：准备热丝若干N，热丝设置在基体的上端部，基体设置在底板的上端部，热丝间距Tw由中间向两边的热丝间距各不相同；对底板上的基体进行酸碱腐蚀处理；处理后的基体放进化学气相沉积设备，进行金刚石涂层沉积；观察基体四个不同位置的金刚石微观形貌，分析金刚石纯度及晶粒取向，测试金刚石涂层与基体的结合强度，以及中心基体的金刚石微观形貌及纯度。本发明专利技术提供的热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法，通过改善灯丝的排列方式，使得沉积腔室内温度分布均匀，在进行大批量的工业化生产时，所制得的CVD金刚石薄膜产品表面形貌以及内应力的分布更为均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法
本专利技术属于灯丝
，具体说是涉及一种热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法。
技术介绍
热丝化学气相沉积法制备金刚石涂层设备简单，成本低廉，非常适合大面积金刚石涂层的产业化生产。除了要保证金刚石涂层的性能优异之外，保证金刚石涂层性能的均匀性也是限制其产业化生产的另一重要因素。温度场和气流场的均匀程度会严重影响到同一批沉积的不同位置的基体表面金刚石涂层及同一基体上不同位置的金刚石形核密度和生长速度的均匀性，从而影响金刚石涂层性能的均匀性。因此沉积优质的金刚石涂层需要通过改变沉积条件使基体和热丝附近的物理场具有良好稳定性和均匀性。普通的热丝CVD装置，热丝阵列会影响基体表面的金刚石涂层均匀性，造成“边缘效应”以及“阴影效应”，致使基体表面温度场不均匀，从而导致金刚石薄膜中心部分和边缘部分中非金刚石成分的含量以及薄膜的应力存在较大的差异，还导致灯丝下方的金刚石薄膜形貌与灯丝之间金刚石薄膜形貌存在较大的差异。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种热丝CVD金刚石设备灯丝的排列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/n步骤S1：准备热丝若干N，热丝设置在基体的上端部，基体设置在底板的上端部，热丝间距Tw由中间向两边的热丝间距各不相同，热丝与底板之间设置有间距HY，基体上设置四个位置进行金刚石涂层沉积试验；/n步骤S2：对底板上的基体进行预处理，即酸碱腐蚀处理；/n步骤S3：预处理后的基体放进化学气相沉积设备，摆放好，进行金刚石涂层沉积；/n步骤S4：观察基体四个不同位置的金刚石微观形貌，分析金刚石纯度及晶粒取向，测试金刚石涂层与基体的结合强度，以及中心基体五个不同位置的金刚石微观形貌及纯度。/n

【技术特征摘要】
1.一种热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤S1：准备热丝若干N，热丝设置在基体的上端部，基体设置在底板的上端部，热丝间距Tw由中间向两边的热丝间距各不相同，热丝与底板之间设置有间距HY，基体上设置四个位置进行金刚石涂层沉积试验；
步骤S2：对底板上的基体进行预处理，即酸碱腐蚀处理；
步骤S3：预处理后的基体放进化学气相沉积设备，摆放好，进行金刚石涂层沉积；
步骤S4：观察基体四个不同位置的金刚石微观形貌，分析金刚石纯度及晶粒取向，测试金刚石涂层与基体的结合强度，以及中心基体五个不同位置的金刚石微观形貌及纯度。


2.根据权利要求1所述的热丝CVD金刚石设备灯丝的排列方法，其特征在于，所述步骤S1中，热丝数量N＝10，Tw1＝14mm、Tw2＝10mm、Tw3＝10mm、Tw4＝8mm、Tw5＝8mm,HY＝8mm。


3.根据权利要求2所述的热丝CVD金刚石设备灯...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓福铭，郝岑，邓雯丽，孙玉虎，孙云天，
申请(专利权)人：河北上诚超硬材料有限公司，中国矿业大学北京，
类型：发明
国别省市：河北;13