一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法技术

本发明专利技术公开了一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法，是利用具有定位插入结构的光学结构膜与事先转印到OCA光学胶上的纳米银线透明导电膜进行热压合，使高硬度的定位插入结构嵌入到纳米银线导电膜中，实现导电膜的电极图案化，制得所需的导电电极图案。本发明专利技术可以有效改善纳米银线透明导电膜的银迁移和蚀刻痕问题，方法简单、可靠度高。

【技术实现步骤摘要】
一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法
本专利技术属于纳米银线透明导电膜领域，特别涉及一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法。
技术介绍
纳米银线透明导电膜在触控领域的应用日趋成熟，其在应用时需要进行电极图案化处理，然后与光学透明胶贴合成复合膜后，再与液晶显示模组或OLED显示模组贴合制成触控屏。电极图案化的方式主要为激光刻蚀，即利用激光去除电极区与非电极区之间的部分导电膜，从而使电极区与非电极区分离，激光光束直径在25-35μm。因此，经激光刻蚀制得的电极图案线间距通常在25-35μm，这部分区域由于纳米银线的缺失造成雾度、透过率、色度等光学性质与其它区域明显不同，从而造成人眼可明显识别的蚀刻痕。如果将此透明导电膜直接应用在触控屏中，会降低触摸屏的视觉效果。目前改善蚀刻痕的方法主要是在激光刻蚀后，在被蚀刻掉的非电极区填充含金属氧化物纳米粒子的消影液，使得非电极区和电极区的折射率、雾度、透过率相近以改善蚀刻痕，但是该方法效果有限，且会在非电极区留有金属氧化物纳米粒子，影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜，其特征在于：所述光学结构膜是在柔性基底的下表面设置有若干定位插入结构；在对纳米银线透明导电膜进行电极图案化时，以所述定位插入结构直接插入在导电膜电极区与非电极区的交界处，使电极区与非电极区分离，即实现纳米银线透明导电膜的电极图案化。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜，其特征在于：所述光学结构膜是在柔性基底的下表面设置有若干定位插入结构；在对纳米银线透明导电膜进行电极图案化时，以所述定位插入结构直接插入在导电膜电极区与非电极区的交界处，使电极区与非电极区分离，即实现纳米银线透明导电膜的电极图案化。


2.根据权利要求1所述的光学结构膜，其特征在于：所述定位插入结构的纵剖面呈倒三角形。


3.根据权利要求1或2所述的光学结构膜，其特征在于：所述定位插入结构的高度大于待图案化纳米银线透明导电膜的厚度，所述定位插入结构横断面的最大宽度为10nm～1μm，各相邻定位插入结构之间的间距与所需电极图案中各电极区与非电极区的尺寸匹配。


4.根据权利要求1所述的光学结构膜，其特征在于：所述定位插入结构是在柔性基底的表面涂布一层UV硬化液，然后通过纳米压印技术将硬化液制作为所需形状后，再经UV固化而成。


5.根据权利要求4所述的光学结构膜，其特征在于：所述UV硬化液的各组分按重量份计的构成为：





6.根据权利要求5所述的光学结构膜，其特征在于：
所述光固化树脂为沙多玛CN8885NS聚氨酯丙烯酸酯、沙多玛CN9013NS聚氨酯丙烯酸酯、沙多玛CN9010NS聚氨酯丙烯酸酯和沙多玛CN9110NS聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种；
所述活性稀释剂为季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯中的至少一种；
所述光引发剂为光引发剂17...

【专利技术属性】
技术研发人员：张梓晗，吕鹏，姚成鹏，张运奇，聂彪，
申请(专利权)人：合肥微晶材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34