一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法，该氮化硅导电陶瓷由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65‑90%、氧化镁2‑6%、氧化钇1‑5%、碳化钛0.5‑3%、氮化钛5‑10%、高纯碳1‑10%、高纯氧化硼4‑10%。该氮化硅导电陶瓷以氮化硅陶瓷粉体为基体原料，再与其它助剂进行复配，通过脱脂脱胶、烧结的步骤制备成具有良好导电性能的氮化硅陶瓷材料，该材料在保持了陶瓷固有的优良性能的基础上，便于对其采用放电方法进行加工，降低加工难度，提高加工效率。本发明专利技术所述制备方法简单，原料易得，赋予氮化硅陶瓷优良的导电性能，扩大了氮化硅陶瓷的使用范围，因此，本发明专利技术所述制备方法具有重要的意义。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法
本专利技术属于先进陶瓷材料领域，具体涉及一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法。
技术介绍
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。氮化硅陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料，最能发挥优势的是其在高温领域中的应用。氮化硅今后的发展方向是：（1）充分发挥和利用氮化硅本身所具有的优异特性；（2）在氮化硅粉末烧结时，开发一些新的助熔剂，研究和控制现有助熔剂的最佳成分；（3）改善制粉、成型和烧结工艺；（5）研制氮化硅与SiC等材料的复合化，以便制取更多的高性能复合材料。由于氮化硅陶瓷本身高强度和高硬度的性能，常以金刚石刀具进行切割，但传统的金刚石加工的方法加工效率低且成本昂贵。氮化硅陶瓷属于绝缘体，其电阻率约为1015Ω·cm量级，是不可能用放电方法进行加工的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅导电陶瓷，其特征在于，由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65-90%、氧化镁2-6%、氧化钇1-5%、碳化钛0.5-3%、氮化钛5-10%、高纯碳1-10%、高纯氧化硼4-10%。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅导电陶瓷，其特征在于，由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65-90%、氧化镁2-6%、氧化钇1-5%、碳化钛0.5-3%、氮化钛5-10%、高纯碳1-10%、高纯氧化硼4-10%。


2.根据权利要求1所述的一种氮化硅导电陶瓷，其特征在于，由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65-90%、氧化镁2-6%、氧化钇1-5%、碳化钛0.5-3%、氮化钛5-10%、高纯碳1-10%、高纯氧化硼4-10%。


3.权利要求1所述氮化硅导电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）称取各原料，湿法研磨并混合均匀后干燥陈化，获得陶瓷坯体；
（2）脱脂脱胶：将步骤（1）陈化后的陶瓷坯体依次在300-430℃保温15min、430...

【专利技术属性】
技术研发人员：于利学，李正闯，李平齐，
申请(专利权)人：威海圆环先进陶瓷股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37