一种静磁场发生装置，包括： 一对永磁体，它们跨过其中放置测试对象的空间相对地设置； 一对底磁轭，用于支撑所述永磁体；以及 柱磁轭，用于磁连接所述底磁轭并在结构上支撑它们，所述柱磁轭具有磁阻调节装置。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及采用了由形成磁路的柱磁轭(columnar yoke)和底磁轭(baseyoke)支撑的永磁体的一种静磁场发生装置和一种磁共振成像装置。
技术介绍
近年来，其中由永磁体来产生静磁场的磁共振成像装置变得普及起来了。因为在这样的装置中需要高的精度，所以已经主要采用了一种通过在永磁体本身上或在连接在永磁体上的底磁轭上使用铁片或类似物的修正静磁场的技术。另一种技术涉及围绕用于支撑永磁体的柱磁轭缠绕线圈来电学地产生磁通量，从而修正静磁场(例如，见专利文献1)。日本专利申请公开第2002-238872号(第1页，附图10)。不过，传统的技术并不能实现静磁场的简便修正。特别是，例如由于永磁铁的重量，修正永磁体本身上或连接在永磁体上的底磁轭上的静磁场的工艺必须在磁共振成像装置的组装过程中就已完成。另一方面，因为使用了线圈和用于线圈的控制装置，所以利用电学方法修正静磁场的工艺需要额外的装置。尤其是，永磁体与超导磁体相比，更加容易受到诸如温度变化这样的环境条件的影响，并且，实际情况是，在诸如医院这样的安装地点，无法简便地实现用于保持静磁场的精度的修正，从性能和服务效率的角度来讲，这一实际情况是不令人满意的。因此，找出一种途径来实现允许静磁场的简单修正的使用永磁铁的静磁场发生装置和磁共振成像装置是具有重要意义的。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是，提供一种允许静磁场简单地修正的使用永磁体的静磁场发生装置和磁共振成像装置。为了解决前面提到的问题和达到这一目的，按照本专利技术的第一方面，一种静磁场发生装置的特征在于包括一对永磁体，这对永磁体跨过其中放置测试对象的空间相对设置；一对底磁轭，用于支撑所述永磁体；以及柱磁轭，用于磁连接所述底磁轭并且在结构上支撑它们，所述柱磁轭具有磁阻调节装置(magnetic resistance modifying means)。在第一方面的专利技术中，永磁体跨过其中放置测试对象的空间相对设置，这些永磁体由一对底磁轭支撑，并且底磁轭与具有磁阻调节装置的柱磁轭磁连接并在结构上由后者支撑；并因此，通过调节柱磁轭的磁阻，可以轻易地改变并修正由永磁体在该空间中产生的磁通量，并由此改变和修正等于每单位面积磁通量的静磁场。按照本专利技术的第二个方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括在至少一个所述柱磁轭的侧面上的沟槽，所述侧面位于所述柱磁轭的纵向上。在本专利技术的第二个方面中，由于位于柱磁轭的纵向上的柱磁轭侧面上设置沟槽作为调节装置，因此在沟槽处减小了垂直于纵向的柱磁轭的横截面积，从而增大了磁阻。按照本专利技术的第三方面，静磁场发生装置的特征在于所述沟槽具有矩形横截面。在本专利技术的第三个方面中，由于沟槽具有矩形横截面，因此可以容易地加工。按照本专利技术的第四方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括形状与所述沟槽大致相一致的插入件。在本专利技术的第四方面中，由于调节装置的插入件具有与沟槽大致相一致的形状，因此通过将插入件插入到沟槽中/从沟槽中拔出，可以改变沟槽处的磁阻。按照本专利技术的第五方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括穿过至少一个所述柱磁轭的侧面的通孔，所述侧面处于与所述柱磁轭的纵轴平行。在本专利技术的第五方面中，由于通孔被设置成穿过处于与柱磁轭的纵轴平行的柱磁轭侧表面来作为调节装置，因此在通孔处减小了垂直于纵轴的柱磁轭的横截面积，从而增大了磁阻。按照本专利技术的第六方面，静磁场发生装置的特征在于所述通孔具有圆形截面。在本专利技术的第六方面中，由于通孔具有圆形截面，因此用于支撑永磁体的柱磁轭的强度的降低可以得到缓解。按照本专利技术的第七方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括形状大体上与所述通孔相一致的填充件，所述填充件是可插入到所述柱磁轭中的/可从所述柱磁轭中拔出的。在本专利技术的第七方面中，由于调节装置包括形状大体上与通孔相一致以便可插入到所述柱磁轭中/可从所述柱磁轭中拔出的填充件，因此可以通过将填充件插入到通孔中/将填充件从通孔中拔出来调节通孔处的磁阻。按照本专利技术的第八方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括设置在至少一个所述柱磁轭的侧面上的螺纹孔，所述侧面处于与所述柱磁轭的纵轴平行。在本专利技术的第八方面中，由于调节装置包括设置在平行于柱磁轭的纵轴的柱磁轭的侧面上的螺纹孔，因此在螺纹孔处，减小了垂直于纵轴的柱磁轭的横截面积，从而增大了磁阻。按照本专利技术的第九方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括形状大体上与所述螺纹孔相一致的螺钉，所述螺钉是可插入到所述柱磁轭中的/可从所述柱磁轭中拔出的。在本专利技术的第九方面中，由于将用作调节装置的形状大体上与螺纹孔相一致的螺钉插入到柱磁轭中/将其从柱磁轭中拔出，因此通过将螺钉插入通孔/将螺钉从通孔中拔出，可以调节在螺纹孔处的磁阻。按照本专利技术的第十方面，静磁场发生装置的特征在于所述沟槽、所述通孔或所述螺纹孔被设置在所述空间所处的那一侧的柱磁轭的侧面上。在本专利技术的第十方面中，由于沟槽、通孔或螺纹孔被设置在所述空间所处的那一侧的柱磁轭的侧面上，因此从沟槽、通孔或螺纹孔中泄漏的磁通量被有效地返回到永磁体中，从而有效地调节了从永磁体中产生的磁通量。按照本专利技术的第十一方面，静磁场发生装置的特征在于所述沟槽、所述通孔或所述螺纹孔被设置在所述永磁体与所述柱磁轭接合处的弯折部分中。在本专利技术的第十一方面中，由于沟槽、通孔或螺纹孔被设置在永磁体与柱磁轭接合处的弯折部分中，因此通过沟槽、通孔或螺纹孔，可以有效地调节于此集中了磁通量的弯折部分内的磁通量。按照本专利技术的第十二方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括设置在至少一个所述柱磁轭中并且由具有与所述柱磁轭的材料不同的磁导率的材料构成的不同材料部分。在本专利技术的第十二方面中，由于调节装置包括设置在柱磁轭中并且由具有与柱磁轭的材料不同的磁导率的材料构成的不同材料部分，因此柱磁轭的磁阻可以大幅度调节，以进行修正。按照本专利技术的第十三方面，静磁场发生装置的特征在于所述不同材料部分具有与所述柱磁轭的垂直相交于纵轴的截面相同的横截面形状。在本专利技术的第十三方面中，由于不同材料部分的横截面形状与柱磁轭的垂直相交于纵轴的横截面相同，因此磁通量的泄漏可以被最小化。按照本专利技术的第十四方面，静磁场发生装置的特征在于在相应柱磁轭的关于测试对象位置对称的位置处设置有多个所述沟槽、所述通孔、所述螺纹孔或所述不同材料部分。在本专利技术的第十四方面中，由于在相应柱磁轭的关于测试对象位置对称的位置处设置有多个沟槽、通孔、螺纹孔或不同材料部分，因此可以使各柱磁轭之间的磁阻相等，并且可以使在该空间中所产生的磁通量均匀，而没有方向性。按照本专利技术的第十五方面，一种磁共振成像装置包括静磁场发生装置，用于利用永磁体产生静磁场；梯度磁场发生装置，用于产生梯度磁场；发射/接收装置，用于在所述静磁场中发射/接收射频磁场；以及控制部分，用于控制所述梯度磁场发生装置、所述发射装置和所述接收装置，所述磁共振成像装置的特征在于所述静磁场发生装置，在磁连接并且在结构上支撑底磁轭的柱磁轭中包括用于调节所述柱磁轭的磁阻的调节装置，其中所述底磁轭支撑一对相对设置的所述永磁体。在本专利技术的第十五方面中，静磁场发生装置在磁连接并且在结构上支撑底磁轭的柱磁轭中包括用于调节所述柱磁轭的磁阻的调节装置，其中底磁轭支本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边毅，
申请(专利权)人：GE医药系统环球科技公司，
类型：发明
国别省市：
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