一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法技术

本发明专利技术提供一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。根据本发明专利技术的抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法。
技术介绍
随着IC(集成电路)技术的不断发展，半导体行业对硅片的要求越来越高，其中为了防止曝光时失焦，对硅片的平坦度要求也越来越严格。硅片的表面抛光往往需要经过双面抛光(DSP，doublesidepolish)和正面最终抛光(FP，finalpolish)两个抛光步骤来完成。双面抛光用于研磨晶圆的正反两面，且可以通过抛光盘的控制实现期望的晶圆形状，而最终抛光只对硅片正面进行抛光。对于硅片的最终抛光工艺而言，极端边缘处的厚度控制是工艺中的困难点。在抛光过程中，抛光液很容易聚集在硅片的边缘，从而导致硅片的边缘的厚度较薄。以现有的常规工艺设备和工艺能力，往往在硅片边缘约145mm～149mm位置处无法实施准确调节，特别是在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置处的抛光速率，更加难以通过调节现有的工艺参数来实现。本专利技术提供了一种抛光垫及硅片的抛光方法，用以解决现有技术中的问题。...

【技术保护点】
1.一种抛光垫，用于对硅片进行抛光，其特征在于，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。/n

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫，用于对硅片进行抛光，其特征在于，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。


2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述凹槽包括靠近所述抛光垫外围的第一环形槽与靠近所述抛光垫中心的第二环形槽。


3.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述第一环形槽的内沿与所述第二环形槽的外沿之间的距离小于硅片的直径，所述第一环形槽的外沿与所述第二环形槽的内沿之间的距离大于或等于硅片的直径。


4.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫、所述第一环形槽和所述第二环形槽同心设置。


5.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述第一环形槽的宽度为3mm～8mm，深度为0.5mm～2mm，外沿半径为335mm～340mm，内沿半径为330mm～335mm。


6.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述第二环形槽的宽度为3mm～8mm，深度为0.5mm～2mm，外沿半径为35mm～45mm，内沿半径为30mm～40mm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：沙酉鹤，谢越，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31