【技术实现步骤摘要】
一种SnS2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂及其制备方法
本专利技术涉及纳米材料的制备和光电催化制氢
，具体为一种SnS2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂及其制备方法。
技术介绍
半导体光电催化析氢技术能够结合电催化以及光催化的优点，具有广阔的发展前景。目前半导体光电催化技术亟待解决的问题的有三点：一是半导体的光吸收效率较低；二是光生载流子容易复合，光生载流子利用率低；三是半导体光电催化剂析氢过电位高，催化剂活性位点有限。硅作为地球上储量第二的元素，来源广泛，其带隙较窄(～1.12eV)，相比较于其他半导体材料能够吸收更宽范围的太阳能光谱，因此硅基材料在光电催化领域的应用具有广阔的前景。一般而言，在半导体表面负载有效的析氢助催化剂是降低光电催化析氢过电位，提高光电催化析氢效率的有效途径。研究表明传统的一些贵金属催化剂如Pt，Au，Pd等能够显著降低析氢过电位，提高光电催化析氢效率，但是由于其成本较高严重限制了他们在光电催化析氢领域的应用。因此，研发一种光电催化剂及其制备方法，以降低其生产成本，并提高太阳光吸...
【技术保护点】
1.一种SnS
【技术特征摘要】
1.一种SnS2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂，其特征在于，所述光电催化剂中，SnS2量子点分布在Si纳米线阵列表面。
2.一种SnS2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂的制备方法，其特征在于，采用金属辅助化学刻蚀的方法制备硅纳米线阵列，采用水热法以及冷冻超声处理的方法制备SnS2量子点溶液，再经过旋涂工艺实现SnS2量子点在硅纳米线阵列表面的负载，从而制成SnS2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂。
3.根据权利要求2所述的一种SnS2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1、硅纳米线阵列的制备：采用金属辅助化学刻蚀的方法，制备出硅纳米线阵列，备用；
S2、SnS2量子点溶液的制备：通过一步水热法制备出来出SnS2纳米材料，再将干燥后的SnS2粉溶于一定量的N-甲基吡咯烷酮中，经过一定时间的超声处理后，然后在液氮中进行冷冻处理，超声和冷冻处理循环进行多次，从而获得SnS2量子点溶液；
S3、SnS2量子点的有效负载：将一定量的Sn...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴玉程，王博，吕珺，徐光青，舒霞，汪冬梅，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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