一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法技术

一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法，涉及一种光催化剂制备方法，本发明专利技术为一种新型用于增强可见光光催化活性的Ag:ZnIn

【技术实现步骤摘要】
一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法
本专利技术涉及一种光催化剂制备方法，特别是涉及一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法。
技术介绍
为了有效地利用太阳能，开发出地球丰富，廉价，可见光驱动的催化剂已成为光催化领域的重要任务。在所研究的各种光催化剂中，CdS由于其禁带宽度约为2.4eV，在可见光范围内具有强吸收，光响应范围更宽，可以达到可见光的使用效率。然而，由于其较差的吸附性能和光化学不稳定性，纯CdS的光催化活性受到限制。因此，已提出许多策略来提高单一CdS的光催化活性，如掺杂，敏化，构建异质结，Z方案系统，制备微/纳米结构以及负载适当分子催化剂。在这些方法中，异质结光催化剂的构造更有效，因为它可以诱导电子转移到耦合的半导体中并有效地促进电子-空穴对分离，留下更多的电荷载体在反应中。然而，二元体系的光催化活性仍然不能满足实际应用，因为它通常会受到两种半导体界面处电荷载流子的高复合率的影响。因此，非常希望进一步改善二元光催化体系的电荷转移动力学。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种三元阶梯型异质结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法，其特征在于，所述方法包括以下制备过程：/n利用优化Hummers法制备氧化石墨烯，首先，将制得的氧化石墨利用超声作用剥落来制备单分散氧化石墨烯溶液；其次，利用溶剂热法合成CdS纳米棒，将制得的CdS纳米棒超声分散在水中；最后,分别称取Zn(OAc)

【技术特征摘要】
1.一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法，其特征在于，所述方法包括以下制备过程：
利用优化Hummers法制备氧化石墨烯，首先，将制得的氧化石墨利用超声作用剥落来制备单分散氧化石墨烯溶液；其次，利用溶剂热法合成CdS纳米棒，将制得的CdS纳米棒超声分散在水中；最后,分别称取Zn(OAc)2，In(OAc)3，Ag...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐振和，高雨，徐宝彤，丁茯，孙亚光，金灿灿，王麟，王琳娜，贾砚迪，黄碧君，
申请(专利权)人：沈阳化工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21