一种滤网及空调器制造技术

技术编号:26354010 阅读:36 留言:0更新日期:2020-11-19 23:22
本发明专利技术公开了一种滤网及空调器,属于空调滤网领域。滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到,疏水改性后的树脂材料包括80‑98质量%的树脂基材,0.01‑5质量%的增韧剂,0.1‑5质量%的相容剂,以及1‑15质量%的经疏水改性的半导体复合物;半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到;纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种;纳米级半导体复合物粒径小于200nm。本发明专利技术解决了现有针对空调滤网的改进技术均需要对制备成型的滤网进行二次加工、增加生产工序、提高了制造成本的技术问题,具有清洁效果好、能够保持滤网干燥、不易破损、滤网风阻不增大且具有除菌效果、除菌持久的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种滤网及空调器
本专利技术属于空调滤网领域,尤其涉及一种滤网及空调器。
技术介绍
初效过滤网是家用空调器产品用以滤除空气中粒径在5μm以上颗粒的重要部件。然而,初效滤网在使用过程中存在大量灰尘积聚在表面,从而易滋生细菌等微生物的问题,同时,当空气流经空调器初效滤网时,滤网表面的灰尘、微生物再次进入空气环境,造成二次污染。另外,现有空调器初效过滤网难以洗净,这不仅影响过滤网使用寿命,且易造成因长期使用空调器能效降低的问题。此外,用水刷洗滤网后需要长时间的等待,在滤网晾干后才可再使用,浪费时间,影响用户的使用体验。另外,现有的滤网抗微生物方案多为重金属缓慢释放的方案,其抗菌性能随使用时间的增长而显著下降。同时,在滤网中添加重金属元素具有造成环境污染的潜在风险。中国专利CN107621024A提供了一种空调器室内机滤网的清洁方案,主要设计了一种使用清洁装置的喷孔喷出水流对涂覆有疏水涂层的空调器滤网进行清洗;中国专利CN205948511U公开了一种空调自清洁滤网,该专利技术在滤网的下侧滤网的网框框边设计有外翻边,第一外翻边与下框边之间围成开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤网,其特征在于,所述滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到,所述疏水改性后的树脂材料包括80-98质量%的树脂基材,0.01-5质量%的增韧剂,0.1-5质量%的相容剂,以及1-15质量%的经疏水改性的半导体复合物;/n所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到;/n所述纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种;/n所述纳米级半导体复合物粒径小于200nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种滤网,其特征在于,所述滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到,所述疏水改性后的树脂材料包括80-98质量%的树脂基材,0.01-5质量%的增韧剂,0.1-5质量%的相容剂,以及1-15质量%的经疏水改性的半导体复合物;
所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到;
所述纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种;
所述纳米级半导体复合物粒径小于200nm。


2.根据权利要求1所述的滤网,其特征在于,所述纳米级半导体复合物由第一纳米级半导体和第二纳米级半导体组成,所述第一纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的60-95%;所述第二纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的5-40%;
所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体可选自金属氧化物或非金属氧化物,所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体半导体禁带宽度低于8eV。


3.根据权利要求2所述的滤网,其特征在于,
任选地,所述第一纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的任意一种;
任选地,所述第二纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少一种;
所述第一纳米级半导体和第二纳米级半导体不为同一种物质。


4.根据权利要求2所述的滤网,其特征在于,所述纳米级半导体复合物通过溶胶-凝胶法、水热法、气相氧化法、固相法、浸渍法中的任意一种制备得到。


5.根据权利要求4所述的滤网,其特征在于,所述纳米级半导体复合物通过所述溶胶-凝胶法制备得到:
将所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体加入溶剂中,调节pH为4.0-5.5,陈化得到半导体复合物凝胶;烘干、研磨后,煅烧得到所述纳米级半导体复合物;
所述第一纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种;所述第二纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种;且所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质;
所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体的质量比为(1-8):(2-9);
所述溶剂由乙醇和水组成,所述乙醇和水的质量比为(7-9):(1-3);
煅烧温度为350-650℃,煅烧时间为0.5-3h。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:温博李云蹊郝玉密马令庆
申请(专利权)人:海信山东空调有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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