【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁性线圈结构，尤其是用在磁共振成像和光谱学(MRIS)中的梯度线圈结构。已经为公众所知的MRIS系统包括很多围绕某一区域的同心线圈，一物体处于该区域内。该线圈包括一个能提供一稳定的强磁场的最外层直流线圈、一个在DC线圈内设置的内心RF线圈和设置在内心RF线圈与外部DC线圈之间的梯度线圈装置。梯度线圈装置产生时变磁场，该磁场根据患者处在磁场中的位置而使他们的原子核产生响应频率和相位。此种类型的设备已为公众所知，在该设备中线圈是圆筒状的。梯度线圈装置通常包括三个线圈，其分别表示为X、Y和Z梯度线圈。可以在圆筒表面上缠绕某种样式的导体来构成未屏蔽梯度。然而，每个梯度线圈通常是由缠绕在围绕梯度线圈的另一圆筒上的另一种样式的导体所屏蔽。最近，交替磁体几何学已得到发展。在以上的装置中，磁体包括两种本质上不同的装置，它们被一道缝隙分开。在这两个装置之间产生主磁场，此种类型的构造通常称为横向场磁体。磁场可由永久磁体、阻性电磁体或超导磁体产生。将被成像物体放置磁体装置之间。在这样的设备中，圆筒梯度线圈结构就不太合适了。该梯度线圈的典型的几何结构包括两个基本上为平...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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