发光材料制造技术

本发明专利技术的实施例包括具有被设置在n型区和p型区之间的发光层的半导体发光器件。发光层发射第一光。该器件还包括AE

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光材料
技术介绍
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）以及边缘发射激光器的半导体发光器件属于当前可用的最高效的光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟以及氮的二元、三元以及四元合金，也被称为III族氮化物材料。典型地，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术，通过在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其他合适的衬底上外延生长具有不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制备III族氮化物发光器件。该叠层通常包括形成在衬底上方的一个或多个掺杂有例如Si的n型层、形成在该一个或多个n型层上方的有源区中的一个或多个发光层、以及形成在该有源区上方的一个或多个掺杂有例如Mg的p型层。电气接触部在n型区和p型区上形成。诸如LED的发光器件经常与诸如磷光体的波长转换材料相组合。蓝色发射磷光体的使用是已知的。例如，US7938,983教导了双色和多色白色发射磷光体转换LED。“根据本专利技术的白光发射照明系统可以有利地通过选择荧光材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光材料，包括AE

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180424 EP 18168998.51.一种发光材料，包括AE1-xLi2Be4O6:Eux，其中AE=Sr、Ba、Ca中的一个或多个，并且0.002<x≤0.4。


2.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述发光材料发射具有在440-470nm范围内的峰值波长的光。


3.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述发光材料具有25-26nm的半峰全宽（FWHM）的光谱宽度。


4.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述发光材料具有与M1−x−y−zZzAaBbCcDdEeN6−nOn:ESx,REy同型的晶体结构，其中：
a.M是选自Ca（钙）、Sr（锶）和Ba（钡）的二价元素；
b.Z是选自Na（钠）、K（钾）和Rb（铷）的一价元素；
c.A是选自Li（锂）和Cu（铜）的一价元素；
d.B是选自Mg（镁）、Mn（锰）、Zn（锌）和Cd（镉）的二价元素；
e.C是选自B（硼）、Al（铝）和Ga（镓）的三价元素；
f.D是选自Si（硅）、Ge（锗）、Ti（钛）和Hf（铪）的四价元素；
g.E是选自P（磷）、V（钒）、Nb（铌）和Ta（钽）的五价元素；
h.ES是选自Eu（铕）、Sm（钐）和Yb（镱）的二价稀土元素；
i.RE是选自Ce（铈）、Pr（镨）、Nd（钕）、Sm（钐）、Eu（铕）、Gd（钆）、Tb（铽）、Dy（镝）、Ho（钬）、Er（铒）和Tm（铥）的三价稀土元素；
j.0≦x≦0.2；
k...

【专利技术属性】
技术研发人员：PJ·施特罗贝尔，P·J·施密特，W·施尼克，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL