显示设备制造技术

设置没有形成子像素电路的第一区域和第二区域，使得所述第二区域被显示区域包围，所述第一区域被所述第二区域包围；从与所述显示区域垂直的方向看，作为多个扫描信号线和多个数据信号线的至少一方的多个信号线以跨越所述第二区域的方式而设置，跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示设备
本专利技术是关于显示设备。
技术介绍
在专利文献1中，公开了在显示区域中形成了摄像孔的显示面板。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国公开专利公报“2005-10407(公开日：2005年1月13日)”
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在所述现有技术中，有必要处理由摄像孔产生的信号线的断线。用于解决课题的方案本专利技术的一个方面涉及的显示设备具备多个扫描信号线、与所述多个扫描信号线交叉的多个数据信号线、和包括与所述多个扫描信号线以及所述多个数据信号线的多个交点对应配置的多个子像素电路的显示区域；每个子像素电路包括含有晶体管的控制电路、反射电极、发光元件以及透明电极；没有形成子像素电路的第一区域和第二区域以所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第二区域被所述显示区域包围的方式而设置；从与所述显示区域垂直的方向看，作为所述多个扫描信号线中的任意多个扫描信号线以及所述多个数据信号线中的任意多个数据信号线的至少一方的多个信号线，以跨越所述第二区域的方式而设置；跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。有益效果根据本专利技术的一个方面，可以形成透光性的第一区域，而不使经过显示区域的多条配线断线。附图说明图1是表示显示设备的制造方法的一个例子的流程图。图2是表示显示设备的显示区域的构成例的剖面图。图3(a)是表示显示设备的构成的平面图；(b)是表示包含在显示区域中的子像素的电路构成的电路图。图4是表示第一实施方式中的摄像孔周围的构成的平面图。图5的(a)是表示第一实施方式中的显示区域的构成的剖面图、(b)是表示第一实施方式中的第一区域的构成的剖面图。图6是表示摄像孔周围的其他构成的平面图。图7是表示摄像孔周围的其他构成的平面图。图8是表示摄像孔周围的其他构成的平面图。图9是表示第一实施方式中的摄像孔周围的其他构成的平面图。图10是表示第二实施方式中的摄像孔周围的其他构成的平面图。具体实施方式在下面的描述中，“同层”是指在同一过程(成膜工序)中形成的意思，“下层”是指在比较对象的层之前的过程中形成的意思，“上层”是指在比较对象的层之后的过程中形成的意思。图1是表示显示设备的制造方法的一个例子的流程图。图2是表示显示设备的显示部的构成例的剖面图。当制造柔性显示设备时，如图1和图2所示，首先在透光支撑基板(例如，母板玻璃)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6上粘贴上表面膜(步骤S6)。接着，通过激光的照射等将支撑基板从树脂层12上剥离(步骤S7)。接着，在树脂层12的下面粘贴下表面膜10(步骤S8)。接着，对包括下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5和密封层6的层叠体进行切割，得到多个单片(步骤S9)。接下来，在所获得的单片上粘贴功能膜39(步骤S10)。接着，在比形成了多个子像素的显示区域更外侧(非显示区域、边框)的一部分(端子部)上安装电子电路基板(例如IC芯片和FPC)(步骤S11)。另外，步骤S1～S11是由显示设备制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)来进行的。作为树脂层12的材料，例如可以列举聚酰亚胺等。如图2(b)所示，也可以用两层的树脂膜(例如聚酰亚胺膜)和夹置于它们之间的无机绝缘膜来置换树脂层12的部分。阻挡层3是防止水、氧等的异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如，可以由CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜而构成。TFT层4包括半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、比无机绝缘膜16更上层的栅极电极GE和栅极配线GH、比栅极电极GE和栅极配线GH更上层的无机绝缘膜18、比无机绝缘膜18更上层的电容电极CE、比电容电极CE更上层的无机绝缘膜20、比无机绝缘膜20更上层的源极配线SH、比源极配线SH更上层的平坦化膜21。半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系的半导体)构成，以包括半导体膜15和栅极电极GE的方式构成晶体管(TFT)。在图2中，晶体管以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。栅极电极GE、栅极配线GH、电容电极CE和源极配线SH例如由包括铝、钨、钼、钽、铬、钛、铜中的至少一个的金属的单层膜或层叠膜构成。如图2(b)所示，TFT层4包括一层半导体层和三层金属层(第一金属层、第二金属层和第三金属层)。无机绝缘膜16、18、20例如可以通过由CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜而构成。平坦化膜21例如可以通过聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的有机材料而构成。发光元件层5包括比平坦化膜21更上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极25。边缘罩23例如在涂布了聚酰亚胺、丙烯酸等的有机材料之后通过光刻进行图案化而形成。对于每个子像素，在发光元件层5上形成包括岛状的阳极22、EL层24和阴极25的发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)，在TFT层4上形成发光元件ES的控制电路，通过发光元件及其控制电路构成子像素电路。EL层24例如由从下层侧开始依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘罩23的开口(每个子像素)上形成岛状。其他层形成为岛状或整面状(通用层)。另外，也可以构成为不形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一个以上的层。当蒸镀形成OLED的发光层时，使用FMM(精细金属掩模)。FMM是具有多个开口的薄片(例如，殷钢材料)，由穿过一个开口的有机物质形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。QLED的发光层例如可以通过喷墨涂布扩散了量子点的溶剂来形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。阳极(Anode)22例如由ITO(IndiumTinOxide)和Ag(银)或包括Ag的合金的叠层而构成，具有光反射性(反射电极)。阴极25可以由MgAg合金(超薄膜)、ITO、IZO(IndiumzincOxide)等的透光性导电材料而构成(透明电极)。当发光元件ES是OLED时，空穴和电子通过阳极22和阴极25之间的驱动电流在发光层内复合，并且在由此产生的激子在跃迁到基底状态的过程中放出光。由于阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，所以从EL层24放出的光朝向上方，成为顶部发射。当发光元件ES是QLED时，空穴和电子通过阳极22和阴极25之间的驱动电流在发光层内复合，由此产生的激子在从量子点的导带能级(c本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，具备多个扫描信号线、与所述多个扫描信号线交叉的多个数据信号线、和包括多个子像素电路的显示区域，所述多个子像素电路与所述多个扫描信号线以及所述多个数据信号线的多个交点对应配置，其特征在于：/n每个子像素电路包括含有晶体管的控制电路、反射电极、发光元件以及透明电极；/n未形成子像素电路的第一区域和第二区域，以所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第二区域被所述显示区域包围的方式而设置；/n从与所述显示区域垂直的方向看，作为所述多个扫描信号线中的任意多个扫描信号线以及所述多个数据信号线中的任意多个数据信号线中的至少一方的多个信号线，以跨越所述第二区域的方式而设置；/n跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示设备，具备多个扫描信号线、与所述多个扫描信号线交叉的多个数据信号线、和包括多个子像素电路的显示区域，所述多个子像素电路与所述多个扫描信号线以及所述多个数据信号线的多个交点对应配置，其特征在于：
每个子像素电路包括含有晶体管的控制电路、反射电极、发光元件以及透明电极；
未形成子像素电路的第一区域和第二区域，以所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第二区域被所述显示区域包围的方式而设置；
从与所述显示区域垂直的方向看，作为所述多个扫描信号线中的任意多个扫描信号线以及所述多个数据信号线中的任意多个数据信号线中的至少一方的多个信号线，以跨越所述第二区域的方式而设置；
跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。


2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，对于跨越所述第二区域的所述多个信号线中的相邻的两条信号线，其中通过所述第二区域内的所述相邻的两条信号线的间隔小于通过所述第二区域外的显示区域的所述相邻的两条信号线的间隔。


3.根据权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，所述第一区域比形成了一个子像素电路的区域大。


4.根据权利要求1至3的任意一项所述的显示设备，其特征在于，
在所述显示区域中，在所述发光元件的下层的TFT层中包含无机绝缘膜和平坦化膜；
所述无机绝缘膜和平坦化膜也形成在所述第一区域和所述第二区域上。


5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，以覆盖所述显示区域、所述第一区域以及所述第二区域的方式形成密封层。


6.根据权利要求1至5的任意一项所述的显示设备，其特征在于，所述多个信号线以避开所述第一区域的方式被引绕。


7.根据权利要求1至6的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在所述第一区域内不配置扫描信号线和数据信号线。


8.根据权利要求1至7的任意一项所述的显示设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野哲也，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP