一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器，包括高阻硅衬底，高阻硅衬底内部设置有两个矩形金属槽A，金属槽A内两侧设置有多对膜片，膜片和金属槽A的侧壁均由硅通孔排列组成，高阻硅衬底顶部设置有顶面绝缘层，顶面绝缘层内部嵌入有矩形金属槽B，顶面绝缘层底部中间设置有脊背面金属层，两个矩形金属槽A的相邻侧壁通过脊背面金属层连接，另外两个侧壁通过矩形金属槽B连接。本发明专利技术基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器制作工艺与CMOS工艺兼容，制作成本低；体积小，便于将其集成在小型化芯片中，实现堆叠芯片互连，缩短互连线长度，大幅提高芯片性能；带宽大，可实现应用于微波/射频领域的超宽带滤波。

【技术实现步骤摘要】
一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器
本专利技术属于电子器件
，涉及一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器。
技术介绍
5G时代，在微波、毫米波系统，要求滤波器具有高Q值和低损耗系数，因而波导滤波器得到广泛应用。矩形波导滤波器是一种被广泛应用的微波信号导引和处理的传统传输线形式。科技飞速发展的同时对电路系统必然向着体积小型化和功能高集成化的方向发展，矩形波导滤波器庞大的体积使得其无法集成在平面电路中且电磁兼容以及电磁干扰的问题也不容忽视。与传统矩形波导滤波器相比，基片集成波导滤波器结构兼有辐射损耗低、抗干扰特性强等性能优势，更重要的是集成度高且价格低，使得其成为微波毫米波频段的宠儿，得到了广泛的关注和研究。在传统矩形基片集成波导带通滤波器的基础上，宽边中间隆起形成背脊，用导体柱代替波导侧壁就形成了脊状基片集成波导带通滤波器。相对于普通的基片集成波导带通滤波器，脊状基片集成波导带通滤波器具有频带宽、等效阻抗低和同频率下尺寸小的优势，在带宽和紧凑性两个方面都有提升。传统基片集成波导带通滤波器虽然以其高的品质因数和低的损耗替代本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器，其特征在于，包括高阻硅衬底(1)，高阻硅衬底(1)内部嵌入有两个矩形金属槽A，金属槽A内两侧设置有多对一一相对的膜片(10)，膜片(10)和金属槽A的侧壁均由硅通孔排列组成，高阻硅衬底(1)顶部设置有顶面绝缘层(8)，顶面绝缘层(8)内部嵌入有矩形金属槽B，顶面绝缘层(8)底部中间设置有脊背面金属层(7)，两个矩形金属槽A的相邻侧壁通过脊背面金属层(7)连接，两个矩形金属槽A的另外两个侧壁通过矩形金属槽B连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器，其特征在于，包括高阻硅衬底(1)，高阻硅衬底(1)内部嵌入有两个矩形金属槽A，金属槽A内两侧设置有多对一一相对的膜片(10)，膜片(10)和金属槽A的侧壁均由硅通孔排列组成，高阻硅衬底(1)顶部设置有顶面绝缘层(8)，顶面绝缘层(8)内部嵌入有矩形金属槽B，顶面绝缘层(8)底部中间设置有脊背面金属层(7)，两个矩形金属槽A的相邻侧壁通过脊背面金属层(7)连接，两个矩形金属槽A的另外两个侧壁通过矩形金属槽B连接。


2.根据权利要求1所述的一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器，其特征在于，所述金属槽A由底面金属层(6)、侧面金属层(2)和脊侧壁金属层(4)连接组成，侧面金属层(2)和脊侧壁金属层(4)相对设置。


3.根据权利要求2所述的一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器，其特征在于，所述高阻硅衬底(1)底部设置有底面绝缘层(9)，底面金属层(6)嵌入在底面绝缘层(9)顶部。


4.根据权利要求3所述的一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器，其特征在于，所述金属槽B由顶面金属层(5)和两侧的侧壁金属层(3)连接组成。


5.根据权利要求4所述的一种基于TSV的脊状基片集...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娟，李玥，任睿楠，余宁梅，杨媛，朱樟明，尹湘坤，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61