面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法，所述面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法包括：在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层，得到APD阵列晶片；将所述APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上，采用激光剥离技术将APD阵列晶片的蓝宝石衬底剥离，得到面阵列背入射式日盲紫外探测器。本发明专利技术提供的面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法能够降低日盲紫外探测器的工艺难度和制作成本。

【技术实现步骤摘要】
面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法
本专利技术属于光电探测器
，更具体地说，是涉及一种面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法。
技术介绍
日盲紫外波长范围为200～285nm，地表附近几乎不存在日盲紫外辐射,因此日盲紫外探测器与红外探测器及可见光探测器相比，可有效屏蔽太阳光及其他自然光源的干扰，在导弹预警与跟踪、紫外通信等军事领域、电力监测、火情告警等民用领域得到了广泛的关注。实际应用中，大面积面阵列的日盲紫外探测器是最为需要的，如果采用传统的正面入射的结构，引线键合的封装形式将无法应用于大面积阵列，同时引线键合还需要对键合丝进行特殊保护，增加了设计难度与制造成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法，以降低日盲紫外探测器的工艺难度和制作成本。为实现上述目的，本专利技术提供了一种面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法，该面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法包括：在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层，得到APD阵列晶片；将所述APD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法，其特征在于，包括：/n在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层，得到APD阵列晶片；/n将所述APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上，采用激光剥离技术将APD阵列晶片的蓝宝石衬底剥离，得到面阵列背入射式日盲紫外探测器。/n

【技术特征摘要】
1.一种面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法，其特征在于，包括：
在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层，得到APD阵列晶片；
将所述APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上，采用激光剥离技术将APD阵列晶片的蓝宝石衬底剥离，得到面阵列背入射式日盲紫外探测器。


2.如权利要求1所述的面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法，其特征在于，所述在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层，得到APD阵列晶片，包括：
在蓝宝石衬底的第一预设区域制作对位标记；
在蓝宝石衬底的第二预设区域按照预设间隔制作多个APD单元，得到APD阵列晶片。


3.如权利要求2所述的面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法，其特征在于，所述将所述APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上，包括：
根据所述对位标记，将APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上。


4.如权利要求2所述的面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法，其特征在于，所述APD单元的制备方法为：
在蓝宝石衬底上依次生长N型欧姆接触层、I型光吸收层、P型欧姆接触层；
刻蚀所述P型欧姆接触层和I型光吸收层，在N型欧姆接触层上形成台面；
在所述N型欧姆接触层的裸露区域制备阴极，在所述台面的P型欧姆接触层上制备阳极，形成欧姆接触电极，得到APD单元。


5.如权利要求1所述的面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法，其特征在于，所述采用激光剥离技术将APD阵列晶片的蓝宝石衬底剥离，包括：
采用预设光子能量的激光辐照APD阵列晶片的蓝宝石衬底，使激光透过所述蓝宝石衬底被与所述蓝宝石衬底接触的欧姆接触层吸收，发生热分解，生成金属镓和氮气；
在预设温度的加热板上加热所述APD阵列晶片，使金属镓发生液化，所述日盲紫外探测器...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭鑫，周幸叶，吕元杰，王元刚，宋旭波，韩婷婷，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13