FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置，所述FPGA内嵌FLASH控制器基于FPGA的逻辑资源实现，具有接口模块、FLASH逻辑控制模块以及多个FLASH功能模块，接口模块连接主设备，多个FLASH功能模块与不同类型的FLASH存储器一一对应设置并连接相应类型的FLASH存储器。本发明专利技术的技术方案，能够利用FPGA可重复编程的特点，来根据不同的应用场景动态配置，以兼容不同类型的FLASH存储器。该设计提高了FPGA内嵌或外连FLASH存储器的扩展性和易用性，降低了FPGA内嵌或外连FLASH存储器设计和应用的复杂度，提高了FPGA逻辑资源和FLASH存储资源的应用灵活性，提高了产品的开发的效率和速度。

FPGA embedded flash controller and electronic device

【技术实现步骤摘要】
FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置
本专利技术涉及FPGA内嵌FLASH控制器设计
，特别涉及一种FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置。
技术介绍
随机读取是指存储器进行读写操作时，所需要的读取操作时间与所访问的地址无关，FLASH存储器是一种可以通过地址指令随机访问到各个存储单元的一种存储器，具有随机读取特性、数据掉电不易丢失，支持存储单元数据的高速读取，通常可以将FLASH存储器作为永久存储数据的存储介质。FPGA（Field-ProgrammableGateArray，现场可编程门阵列）是一种在制造后可以被用户编程修改的电路，可以通过硬件描述语言编程，完成某种特定任务。同时FPGA以其硬件并行程度高、验证效率高而被广泛应用。在实际应用中，不同厂家生产的FPGA型号不同，其内嵌或者外连FLASH存储器的型号也有所不同，导致在应用FPGA内嵌或者外连FLASH存储器时需要花费大量时间来熟悉其型号和接口时序，从而增加了应用复杂度，大大降低了产品的开发的效率和速度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，所述FPGA内嵌FLASH控制器，包括：/n接口模块，用于建立与主设备的通信连接，使主设备能够访问和控制FLASH逻辑控制模块；/n多个FLASH功能模块，与不同类型的FLASH存储器一一对应设置并连接相应类型的FLASH存储器，用于实现对所连接的FLASH存储器进行相应的功能操作；/nFLASH逻辑控制模块，连接所述接口模块和所述多个FLASH功能模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，所述FPGA内嵌FLASH控制器，包括：
接口模块，用于建立与主设备的通信连接，使主设备能够访问和控制FLASH逻辑控制模块；
多个FLASH功能模块，与不同类型的FLASH存储器一一对应设置并连接相应类型的FLASH存储器，用于实现对所连接的FLASH存储器进行相应的功能操作；
FLASH逻辑控制模块，连接所述接口模块和所述多个FLASH功能模块。


2.如权利要求1所述的FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，所述FLASH逻辑控制模块用于将所述主设备发送的操作指令映射为相应的寄存器的相关操作，并选择和匹配对应的所述FLASH功能模块，控制所选择的FLASH功能模块根据所述寄存器的相关操作，对所连接的FLASH存储器进行相应的功能操作，以实现不同类型的FLASH存储器的兼容。


3.如权利要求1所述的FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，所述接口模块与所述主设备通过相应的通信协议总线通信连接，所述通信协议总线为AHB总线、APB总线、AXI总线、WISHBONE总线或Avalon总线；或者，所述接口模块与所述主设备的寄存器接口连接。


4.如权利要求1所述的FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，所述接口模块还用于译码所述主设备的存储地址空间，解析所述FLASH逻辑控制模块中的各个寄存器，并将各个所述寄存器映射到所述主设备的存储地址空间的不同地址区域中。


5.如权利要求1所述的FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，所述接口模块包括：
地址判断模块，连接所述主设备，并用于判断所述主设备发送的地址信号是否有效，若否，则所述接口模块不使能，与所述FPGA内嵌FLASH控制器连接的FLASH存储器维持原状，若是，则所述接口模块使能，继续后续操作；
操作判断模块，连接所述地址判断模块，用于对所述主设备发送的操作指令进行判断，并输出相应的判断结果；
信息传输模块，连接所述操作判断模块，用于根据所述操作判断模块的判断结果，将所述主设备所发出的数据信号和操作信号传输至所述FLASH信号生成模块；
FLASH信号生成模块，连接所述信息传输模块和所述FLASH逻辑控制模块，用于在所述信息传输模块的控制下使能，并将所述信息传输模块所传输的操作信号转换成操作所述FLASH逻辑控制模块所需的标准操作信号，将所述信息传输模块传输的数据信号转换成所述FLASH逻辑控制模块所需的标准数据信号。


6.如权利要求5所述的FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，当所述主设备与所述接口模块通过AHB总线连接时，所述操作判断模块还用于对所述主设备发送的操作指令进行操作模式判断，所述信息传输模块包括基础模式传输模块、Burst模式传输模块和先进先出队列缓存器；当所述操作判断模块判断操作模式为基础传输模式时，使能所述基础模式传输模块，所述基础模式传输模块用于根据AHB通信协议规定的基础传输模式，对将所述主设备所发出的数据信号和操作信号进行解析，生成所述FLASH逻辑控制模块所需的操作信号和数据信号；当所述操作判断模块判断操作模式为Burst传输模式时，使能所述Burst模式传输模块，所述Burst模式传输模块用于根据AHB通信协议所规定的Burst传输模式，对将所述主设备所发出的数据信号和操作信号进行解析，生成所述FLASH逻辑控制模块所需的操作信号和数据信号。


7.如权利要求5所述的FPGA内嵌FLASH控制器，其特征在于，当所述主设备与所述接口模块通过WISHBONE总线连接时，所述操作判断模块还用于对所述主设备发送的操作指令进行判断，同时将判断的结果传输至FLASH信号生成模块，以生成相应的操作信号；所述信息传输模块包括数据传输模块，用于在所述操作判断模块的控制下使能，用于根据WISHBONE通信协议，对将所述主设备所发出的数据信号进行解析，生成所述FLASH逻辑控制模块所需的数据信号。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锴，宋宁，李秦飞，马得尧，杜金凤，
申请(专利权)人：广东高云半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44