一种磁场检测器件制造技术

一种磁场检测器件，至少包括与一半导体材料制成的元件（１１）结合的一个硬磁材料制成的元件（１２）和一个软磁材料制成的元件（１３），以及在所述半导体材料（１１）中驱动电流（Ｉ）的元件（１５），其特征在于：所述硬磁材料制成的元件（１２）和软磁材料制成的元件（１３）平面地设置在所述半导体材料制成的元件（１１）上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磁场检测器件，其中包括一硬磁材料制成的元件和一软磁材料制成的元件，该硬磁材料制成的元件及软磁材料制成的元件与一半导体材料制成的元件结合，以及在所述半导体材料中驱动电流的元件。现有技术中，用磁阻传感器检测磁场，磁阻传感器就是例如一些其对电流通过的阻力随着它们受到的磁场的变化而改变的装置。特别是一种称为AMR(Anisotropic Magneto Resistance)的各向异性磁致电阻的磁传感器，它们通常用铁镍(坡莫合金)薄膜实现，镀敷在一硅晶圆上且做成电阻带(resistive strip)的形状。外部磁场的施加确定了该坡莫合金中磁化方向的改变，使其不与电阻带中的电流平行，从而使电阻增大。上述的AMR传感器在有磁场存在时电阻会改变2％-3％。为有效感知电阻的变化，AMR传感器被设置成惠斯顿电桥。但是，电阻的变化与磁致电阻效应的发生相联系，该效应在与坡莫合金类似的有限数量的材料中存在。然而，这样的传感器很难集成化和小型化，并且涉及成本高昂的镀膜工序。也有一种所谓“自旋阀”型的磁场检测器件，它提供一垂直的堆层，在一简化的实施例中，在硬磁材料层和软磁材料层之间设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁场检测器件，至少包括：与半导体材料制成的元件（１１）相结合的硬磁材料制成的元件（１２）和软磁材料制成的元件（１３），在所述半导体材料（１１）中驱动电流（Ｉ）的元件（１５、４５），其特征在于：所述硬磁材料制成的元件（１２）和软磁材料制成的元件（１３）平面地设置在所述半导体材料制成的元件（１１）上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D普利尼，A兹韦兹丁，K兹韦兹丁，B马托拉纳，P佩洛，P雷佩托，
申请(专利权)人：CRF阿西安尼顾问公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]