氯化铯晶体及制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种氯化铯晶体及制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：配置含有一定质量浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液；使用波长为532～1064nm、脉冲宽度为5～6ns、能量为15～100mJ的单个脉冲激光照射过饱和氯化铯溶液即生成氯化铯晶体；其中，添加剂为聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸。本发明专利技术的氯化铯晶体的制备方法，首先利用激光诱导出溶液中晶核，因为激光对晶体成核有着时空的协调作用，接着晶体的生长会受到溶液中聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸的影响形成可控性的晶型以及大小；通过该方法实现了结晶从晶体成核到晶体生长整个过程的控制；而且聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸这两种添加剂均为绿色环保无毒的酸性聚合物，安全环保。

【技术实现步骤摘要】
氯化铯晶体及制备方法和应用
本专利技术涉及晶体材料
，尤其涉及一种氯化铯晶体及其制备方法和应用。
技术介绍
目前利用激光为非光化学激光诱导结晶技术(简称NPLIN)，采用红外纳秒激光或可见激光来照射过饱和溶液或熔盐来诱导晶体的成核与生长，利用这可以用来制备晶体。非光化学激光诱导结晶技术(简称NPLIN)的优点是不涉及光化学反应以及不影响晶体内部的分子结构。它的优点是可以控制晶体成核的位置以及结晶发生的时间，还能有效的提高晶体的纯度。通过该技术已成功将磺胺噻唑和卡马西平等药物进行了合成。虽然，非光化学激光诱导结晶技术，激光的能量的大小可以控制晶体的数量，然而在后续晶体生长中激光很难对晶体大小以及生长速度进行控制，尤其是在制备氯化铯晶体过程中，采用非光化学激光诱导结晶技术，还无法对晶体晶型、大小、生长速度进行很好的控制。基于，目前技术存在的缺陷，有必要提供一种可控制氯化铯晶体生长过程的氯化铯晶体制备方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出了一种氯化铯晶体及其制备方法和应用，以解决现有技术存在的技术缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n配置含有一定质量浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液；/n使用波长为532～1064nm、脉冲宽度为5～6ns、能量为15～100mJ的单个脉冲激光照射过饱和氯化铯溶液即生成氯化铯晶体；/n其中，所述添加剂为聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸。/n

【技术特征摘要】
1.一种氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
配置含有一定质量浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液；
使用波长为532～1064nm、脉冲宽度为5～6ns、能量为15～100mJ的单个脉冲激光照射过饱和氯化铯溶液即生成氯化铯晶体；
其中，所述添加剂为聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸。


2.如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，所述过饱和氯化铯溶液的饱和度为1.1～1.2。


3.如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，所述过饱和氯化铯溶液中添加剂的质量浓度为0.2～8％。


4.如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，配置含有一定质量浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液具体包括：
先配置过饱和氯化铯溶液；
然后加入添加剂，再将过饱和氯化铯溶液置...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑶，
申请(专利权)人：江西理工大学，
类型：发明
国别省市：江西;36